LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet New Jersey Semiconductor IRF120 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
СерияIRF120
МодельIRF120

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа

Цены

18 предложений от 15 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3Pin(2+Tab) TO-204AA
T-electron
Россия и страны СНГ
IRF120
International Rectifier
101 ₽
ЧипСити
Россия
IRF120
International Rectifier
109 ₽
Acme Chip
Весь мир
IRF120
по запросу
IRF120ATF
Fairchild
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor IRF120

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России