Datasheet ON Semiconductor FDV302P
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | FDV302P |
| Модель | FDV302P |
Digital FET,P-Channel
Datasheets
- Скачать » Datasheet, PDF, 294 Кб, Версия: 1
Digital FET, P-Channel
Выписка из документа ↓October 2017 FDV302P
Digital FET, P-Channel
General Description Features This P-Channel logic level enhancement mode field effect
transistor is produced using our proprietary, high cell
density, DMOS technology. This very high density process is
especially tailored to minimize on-state resistance. This
device has been designed especially for low voltage
applications as a replacement for digital transistors.
Since
bias resistors are not required, this one P-channel FET can
replace several digital transistors with different bias resistors
such as the DTCx and DCDx series. -25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.
RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V
RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V.
Very low level gate drive requirements allowing direct
operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V.
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
Compact industry standard SOT-23 surface mount
package.
Replace many PNP digital transistors (DTCx and DCDx)
with one DMOS FET. SOT-23 SuperSOTTM-8 SuperSOTTM-6 SO-8 SOIC-16 SOT-223 Mark:302 D S G Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted Symbol Parameter VDSS Drain-Source Voltage VGSS Gate-Source Voltage ID Drain Current PD Maximum Power Dissipation TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range ESD Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D
Human Body Model (100pf / 1500 Ohm) -Continuous ...
Цены
FDV302P на РадиоЛоцман.Цены — от 1,29 до 8,00 руб.
Исполнение: SOT23. MOSFET, P, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-25V; Current, Id Cont:0.12A; Resistance, Rds On:13ohm; Voltage, Vgs...
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| Стандарт СИЗ | Fujitsu-Siemens | FDV302P | 1,29 руб. |
| Промэлектроника | ON Semiconductor | FDV302P | от 1,41 руб. |
| Интерия | Fairchild | FDV302P | 1,84 руб. |
| 5 элемент | ON Semiconductor | FDV302P | от 11,17 руб. |
| ЭлектроПласт - Екатеринбург | Fairchild | FDV302P5VLOWPOWERSOT | по запросу |
| Все 39 предложений от 25 поставщиков » | |||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
|---|
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23-3 |
|---|---|
| Код корпуса | 318-08 |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
|---|
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs & FETs > MOSFETs
На английском языке: Datasheet ON Semiconductor FDV302P
Рекомендуемые материалы по теме:
- Datasheet FDV302P-MR - Fairchild Даташит Полевой транзистор, цифровой FDV302P MINIREEL 500PCS
- Datasheet FDV302P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23
- Datasheet 859-302 - Wago Даташит Relay
- Datasheet FDV301N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N цифровой REEL 3K
- Datasheet FDV303N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N цифровой REEL 3K
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|