Datasheet ON Semiconductor NVH4L015N065SC1 — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | NVH4L015N065SC1 |
Модель | NVH4L015N065SC1 |
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L
Datasheets
Datasheet NVH4L015N065SC1
PDF, 372 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 24 фев 2021, Страниц: 8
MOSFET -SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
MOSFET -SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
Выписка из документа
Цены
Купить NVH4L015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 829 до 11 420 ₽ 12 предложений от 6 поставщиков SIC MOS TO247-4L 650V | |||
NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | 1 829 ₽ | ||
NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | 1 911 ₽ | ||
NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | от 5 010 ₽ | ||
NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием.
Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитных помех и уменьшенный размер системы.
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | TO-247-4 |
Код корпуса | 340CJ |
Экологический статус
Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Классификация производителя
- Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs