Datasheet ON Semiconductor NVH4L015N065SC1 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | NVH4L015N065SC1 |
| Модель | NVH4L015N065SC1 |
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L
Datasheets
Datasheet NVH4L015N065SC1
PDF, 372 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 24 фев 2021, Страниц: 8
MOSFET -SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
MOSFET -SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
Выписка из документа
 Купить NVH4L015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 900 до 5 026 ₽17 предложений от 9 поставщиков Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W | |||
| NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | от 4 535 ₽ | ||
| NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | от 4 971 ₽ | ||
| NVH4L015N065SC1 | от 5 026 ₽ | ||
| NVH4L015N065SC1 ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием.
Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитных помех и уменьшенный размер системы.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-247-4 |
| Код корпуса | 340CJ |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Классификация производителя
- Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
