Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E-ASY — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD87312Q3E |
Модель | CSD87312Q3E-ASY |
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В 8-VSON от -55 до 150
Datasheets
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2011
Выписка из документа
Цены
Купить CSD87312Q3E на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 131 ₽ 18 предложений от 11 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON | |||
CSD87312Q3E Texas Instruments | 40 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | 59 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | от 131 ₽ | ||
CSD87312Q3E Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | Анонсирован (Компонент анонсирован, но еще не запущен в серийное производство. Образцы могут быть как доступны, так и нет) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DPB |
Width (мм) | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 |
Thickness (мм) | .9 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Approx. Price (US$) | 0.35 | 1ku |
Configuration | Dual Common Source |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A) | 45 |
Package (mm) | SON3x3 |
QG Typ(nC) | 6.3 |
QGD Typ(nC) | 0.7 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm) | 31 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms) | 38 |
VDS(V) | 30 |
VGS(V) | 10 |
VGSTH Typ(V) | 1 |
Экологический статус
RoHS | Не совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Модельный ряд
Серия: CSD87312Q3E (2)
- CSD87312Q3E CSD87312Q3E-ASY
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
Варианты написания:
CSD87312Q3EASY, CSD87312Q3E ASY