Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияCSD87312Q3E
Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E

Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В

Datasheets

Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2011
Выписка из документа

Цены

18 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
T-electron
Россия и страны СНГ
CSD87312Q3E
Texas Instruments
40 ₽
ЧипСити
Россия
CSD87312Q3E
Texas Instruments
59 ₽
Akcel
Весь мир
CSD87312Q3E
Texas Instruments
от 110 ₽
Элитан
Россия
CSD87312Q3E
Texas Instruments
125 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

CSD87312Q3ECSD87312Q3E-ASY
Статус продуктаВ производствеАнонсирован
Доступность образцов у производителяДаНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

CSD87312Q3ECSD87312Q3E-ASY
N12
Pin88
Package TypeDPBDPB
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Маркировка87312E
Width (мм)3.33.3
Length (мм)3.33.3
Thickness (мм).9.9
Mechanical DataСкачатьСкачать

Параметры

Parameters / ModelsCSD87312Q3E
CSD87312Q3E
CSD87312Q3E-ASY
CSD87312Q3E-ASY
Approx. Price (US$)0.35 | 1ku
ConfigurationDual Common SourceDual Common Source
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A27
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A45
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A)45
Корпус, ммSON3x3
Package (mm)SON3x3
QG Typ, nC6.3
QG Typ(nC)6.3
QGD Typ, nC0.7
QGD Typ(nC)0.7
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm31
RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm)31
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms38
Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms)38
VDS, В30
VDS(V)30
VGS, В10
VGS(V)10
VGSTH Typ, В1
VGSTH Typ(V)1

Экологический статус

CSD87312Q3ECSD87312Q3E-ASY
RoHSСовместимНе совместим
Бессвинцовая технология (Pb Free)ДаНет

Модельный ряд

Серия: CSD87312Q3E (2)

Классификация производителя

  • Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor

На английском языке: Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России