Datasheet Microchip 2N6661 — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | 2N6661 |
2N6661 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process
Datasheets
2N6661 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 464 Кб, Версия: 03-29-2016
Выписка из документа
Цены
Купить 2N6661 на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 3 732 ₽ 33 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, вертикальный DMOS FET, N Канал, 90 В, 1.5 А, 4 Ом, TO-39, Through Hole | |||
2N6661 Microchip | 33 ₽ | ||
2N1893 2N2102 2N4037 2N5415 2N1613 2N5416 2N3725 2N4037 2N1808 2N3019 2N6661 2N5323 2N3501 2N6849 2N5666 TO-39 | 86 ₽ | ||
2N6661 Microchip | 1 463 ₽ | ||
J2N6661 | по запросу |
Статус
2N6661 | SX2N6661 | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Параметры
Parameters / Models | 2N6661 | SX2N6661 |
---|---|---|
BVdss min, В | 90 | 90 |
CISSmax, пФ | 50 | 50 |
Рабочий диапазон температур, °C | от -55 до +150 | |
Rds, on) max | 4.0 | 4.0 |
Vgs(th) max, В | 2.0 | 2.0 |