Datasheet STMicroelectronics STP11NM60 — Даташит

ПроизводительSTMicroelectronics
СерияSTP11NM60
МодельSTP11NM60

N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе TO-220

Datasheets

Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
Выписка из документа
Datasheet
PDF, 377 Кб

Цены

36 предложений от 25 поставщиков
Исполнение: TO220F. MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Примечание: POWER MOSFET
STP11NM60ND
STMicroelectronics
35 ₽
Ким
Россия
STP11NM60FP
STMicroelectronics
84 ₽
ICdarom.ru
Россия
STP11NM60ND
STMicroelectronics
от 119 ₽
Десси
Россия
Категория < Транзисторы полевые , IGBT и модули >: STP11NM60FP
STMicroelectronics
120 ₽

Подробное описание

Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения.

Эти революционные силовые полевые МОП-транзисторы связывают вертикальную структуру с макетом полосы компании, обеспечивая один из самых низких в мире сопротивлений и заряда затвора. Поэтому они подходят для самых требовательных высокопроизводительных преобразователей.

Особенности:

  • 100% лавина проверена
  • Низкое входное сопротивление затвора
  • Низкая входная емкость и заряд затвора

Статус

Статус продуктаNRND (Не рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусTO-220AB

Другие варианты исполнения

STB11NM60T4

Классификация производителя

  • Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V

На английском языке: Datasheet STMicroelectronics STP11NM60

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

Система электрохимического измерения концентрации газа с диагностикой датчиков CN 0429