Datasheet Toshiba SSM6N357R — Даташит

Small Low ON resistance MOSFETs

Datasheets

PDF, 480 Кб, Файл закачен: 18 июн 2018

Выписка из документа

Купить SSM6N357R на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 1 469 ₽ 9 предложений от 5 поставщиков Транзистор: SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Элитан Россия	SSM6N357R.LF Toshiba	24 ₽
ЭИК Россия	SSM6N357R,LF Toshiba	от 25 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	SSM6N357R.LF	1 469 ₽
Acme Chip Весь мир	SSM6N357R Toshiba	по запросу

Статус продукта

В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Код корпуса производителя

TSOP6F

Application Scope	Relay Drivers
Assembly bases	Thailand
Component Product (Q1)	SSM6N357R
Component Product (Q2)	SSM6N357R
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) [V_GS=3V]	2.4 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) [V_GS=5V]	1.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) [V_GS=3V]	1.2 Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) [V_GS=5V]	0.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) [V_GS=3V]	2.4 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) [V_GS=5V]	1.8 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) [V_GS=3V]	1.2 Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) [V_GS=5V]	0.8 Ω
Основные особенности	Relay Drivers
Gate threshold voltage (Q1) (Max)	2.0 В
Gate threshold voltage (Q1) (Min)	1.3 В
Gate threshold voltage (Q2) (Max)	2.0 В
Gate threshold voltage (Q2) (Min)	1.3 В
Generation	π-MOSⅤ
Input capacitance (Q1) (Typ.)	43 пФ
Input capacitance (Q2) (Typ.)	43 пФ
Internal Connection	Independent
Polarity	N-ch×2 + Active Clamp Zener
Total gate charge (Q1) (Typ.)	1.5 nC
Total gate charge (Q2) (Typ.)	1.5 nC

RoHS

Совместим