Datasheet Toshiba SSM6N813R — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | SSM6N813R |
Small-signal MOSFET 2 in 1
Datasheets
SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: сен 2018
Выписка из документа
Цены
 Купить SSM6N813R на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 53 ₽6 предложений от 2 поставщиков Транзистор: AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW | |||
| SSM6N813R.LF Toshiba | 31 ₽ | ||
| SSM6N813R,LXHF Toshiba | от 53 ₽ | ||
Статус
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | ||
Корпус / Упаковка / Маркировка
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 |
| Код корпуса производителя | TSOP6F |
Параметры
| Parameters / Models | SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF |
|---|---|---|---|
| Application Scope | Power Management Switches | ||
| Assembly bases | Thailand | ||
| Component Product (Q1) | SSM6N813R | ||
| Component Product (Q2) | SSM6N813R | ||
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V], mΩ | 112 | ||
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V], mΩ | 154 | ||
| Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max), В | 2.5 | ||
| Generation | U-MOSⅧ-H | ||
| Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.), пФ | 242 | ||
| Internal Connection | Independent | ||
| Polarity | N-ch×2 | ||
| Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V], nC | 3.6 |
Экологический статус
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: SSM6N813R (3)
Классификация производителя
- MOSFETs
