» Datasheets » Полевые транзисторы

Datasheet Vishay SUP90P06-09L

P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

Datasheets

• Скачать » Datasheet PDF, 106 Кб, Язык: анг., Версия: B, Файл закачен: 23 мар 2019
  Datasheet SUP90P06-09L
  P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
  Выписка из документа ↓
  SUP90P06-09L
  Vishay Siliconix P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY
  VDS (V)
  -60 RDS(on) () ID (A)c 0.0093 at VGS = -10 V -90 0.0118 at VGS = -4.5 V -90 • TrenchFET® Power MOSFET
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC RoHS
  COMPLIANT APPLICATIONS
  • DC/DC Primary Switch TO-220AB
  S G
  Drain connected to Tab G D S
  Top View D
  P-Channel MOSFET Ordering Information: SUP90P06-09L-E3 (Lead (Pb)-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
  Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS -60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)c TC = 25 °C
  TC = 125 °C Pulsed Drain Current
  Avalanche Current
  a L = 0.1 mH Single Pulse Avalanche Energy
  Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TC = 25 °C
  TA = 25 °C ID -67
  -200 IAS -65 PD V -90 IDM
  EAS Unit 211
  250b
  2.4 A mJ
  W TJ, Tstg -55 to 175 °C Symbol Limit Unit THERMAL RESISTANCE RATINGS
  Parameter ...

Цены

Модельный ряд

• SUP90P06-09L-E3

На английском языке: Datasheet Vishay SUP90P06-09L

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.