Datasheet BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G, BC857BDW1T1G, SBC857BDW1T1G, BC858CDW1T1G
PDF, 85 Кб, Язык: анг., Версия: 10, Файл закачен: 8 июл 2019, Страниц: 7
Dual PNP Bipolar Transistor
Dual PNP Bipolar Transistor
Выписка из документа
Datasheet ON Semiconductor BC856B — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | BC856B |
Dual PNP Bipolar Transistor
Datasheets
Цены
Купить BC856B на РадиоЛоцман.Цены — от 0,02 до 9,62 ₽39 предложений от 18 поставщиков
Исполнение: SOT23. Биполярный транзистор: PNP, 80В, 0.1А Тип корпуса : SOT23 Тип перехода (полярность) : PNP Напряжение КЭ В: 80 Максимальный...
| Элитан Россия | BC856B.235 NXP | 0,02 ₽ | |
| Триема Россия | BC856B RF | 0,05 ₽ | |
| Варта Россия | BC856B | 0,48 ₽ | |
| T-electron Россия и страны СНГ | BC856B Diotec | 0,75 ₽ |
Подробное описание
The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications.
It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.
Статус
| BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Статус продукта | Скоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | Скоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Корпус | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
| Код корпуса | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 |
Экологический статус
| BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC856B (7)
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
На английском языке: Datasheet ON Semiconductor BC856B
