Datasheet ON Semiconductor BC856B — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | BC856B |
Dual PNP Bipolar Transistor
Datasheets
Datasheet BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G, BC857BDW1T1G, SBC857BDW1T1G, BC858CDW1T1G
PDF, 85 Кб, Язык: анг., Версия: 10, Файл закачен: 8 июл 2019, Страниц: 7
Dual PNP Bipolar Transistor
Dual PNP Bipolar Transistor
Выписка из документа
Цены
Купить BC856B на РадиоЛоцман.Цены — от 0.05 до 99 ₽ 63 предложений от 31 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -65Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -80Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5Напряжение насыщения КЭ... | |||
BC856B | 0.05 ₽ | ||
КТ3129Б-9 (Philips-BC856B,215) Philips | 0.30 ₽ | ||
BC856B Hottech | 1.82 ₽ | ||
BC856B.215 NXP | 99 ₽ |
Подробное описание
The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications.
It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.
Статус
BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Статус продукта | Скоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | Скоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Корпус | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
Код корпуса | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 | 419B-02 |
Экологический статус
BC856BDW1T1 | BC856BDW1T1G | BC856BDW1T3 | BC856BDW1T3G | SBC856BDW1T1G | SBC856BDW1T3G | SBC857CDW1T1G | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC856B (7)
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors