Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Diodes DMN3012LEG — Даташит

ПроизводительDiodes
СерияDMN3012LEG

30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET

Datasheets

Datasheet DMN3012LEG
PDF, 611 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 июн 2020, Страниц: 10
30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Выписка из документа

Цены

5 предложений от 5 поставщиков
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 TR
ChipWorker
Весь мир
DMN3012LEG-13
Diodes
62 ₽
ЧипСити
Россия
DMN3012LEG-7
Diodes
71 ₽
AiPCBA
Весь мир
DMN3012LEG-7
Diodes
112 ₽
Acme Chip
Весь мир
DMN3012LEG-13-55
Diodes
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием.

Корпус / Упаковка / Маркировка

DMN3012LEG-7
N1
КорпусPowerDI3333-8 (Type D)

Параметры

Parameters / ModelsDMN3012LEG-7
Automotive Compliant PPAPNo
CISS Typ650/1137 pF
ESD DiodesNo Y/N
IDS @ TA = +25°C10, 10 A
IDS @ TC = +25°C20 A
PD @ TA = +25°C2.16 W
PD @ TC = +25°C2.2 W
PolarityN+N
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)4.7, 9.7 nC
Qualified to AECQ10xNo
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)12, 6 mΩ
VDS30, 30 V
VGS10, 10 ±V
VGS (th) Max2.1, 1.15 V

Модельный ряд

Серия: DMN3012LEG (1)

Классификация производителя

  • Discrete > MOSFETs > MOSFET Master Table

На английском языке: Datasheet Diodes DMN3012LEG

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России