Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Toshiba TW070J120B — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияTW070J120B
МодельTW070J120B
Datasheet Toshiba TW070J120B

Силовые SiC МОП-транзисторы

Datasheets

Datasheet TW070J120B
PDF, 518 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: авг 2020, Страниц: 10
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS
Выписка из документа

Цены

SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
ChipWorker
Весь мир
TW070J120B,S1Q
Toshiba
3 169 ₽
ЭИК
Россия
TW070J120B,S1Q
Toshiba
от 5 246 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Количество выводов3
Код корпуса производителяTO-3P(N)
Способ монтажаThrough Hole
Ширина×Длина×Высота15.5×20.0×4.5 мм

Параметры

Assembly basesJapan
Drain current36 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=20V]90 mΩ
Drain-Source voltage1200 В
Input capacitance (Typ.)1680 пФ
JEITASC-65
PolarityN-ch

Экологический статус

RoHSСовместим

Классификация производителя

  • Semiconductor > MOSFETs

На английском языке: Datasheet Toshiba TW070J120B

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России