Datasheet Toshiba TW070J120B — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияTW070J120B
МодельTW070J120B
Datasheet Toshiba TW070J120B

Силовые SiC МОП-транзисторы

Datasheets

Datasheet TW070J120B
PDF, 518 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: авг 2020, Страниц: 10
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS
Выписка из документа

Цены

TW070J120B Купить ЦенаКупить TW070J120B на РадиоЛоцман.Цены — от 2 574 до 2 868
МОП-транзистор SiC-МОП-транзистор TO-3PN V=1200 IF=36A
ПМ Электроникс
Россия
TW070J120B,S1Q
Toshiba
от 2 574 ₽
Элитан
Россия
TW070J120B,S1Q
2 868 ₽

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Количество выводов3
Код корпуса производителяTO-3P(N)
Способ монтажаThrough Hole
Ширина×Длина×Высота15.5×20.0×4.5 мм

Параметры

Assembly basesJapan
Drain current36 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=20V]90 mΩ
Drain-Source voltage1200 В
Input capacitance (Typ.)1680 пФ
JEITASC-65
PolarityN-ch

Экологический статус

RoHSСовместим

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet Toshiba TW070J120B

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs