Datasheet ON Semiconductor 2N3055 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | 2N3055 |
Биполярный силовой транзистор NPN, 15 А, 60 В
Datasheets
Datasheet 2N3055, MJ2955
PDF, 123 Кб, Язык: анг., Версия: 6, Файл закачен: 4 дек 2020, Страниц: 5
Complementary Silicon Power Transistors
Complementary Silicon Power Transistors
Выписка из документа
Цены
 Купить 2N3055 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.46 до 450 ₽68 предложений от 32 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 70Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 100Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 7Напряжение насыщения КЭ... | |||
| Слюдяная изоляционная прокладка TO-3, теплоизоляционные изоляционные прокладки, силиконовый лист слюды для 2N3055 MJ15025 | 3.46 ₽ | ||
| 2N3055 Inchange Semiconductor | 32 ₽ | ||
| 2N3055 STMicroelectronics | 53 ₽ | ||
| 2N3055 | 121 ₽ | ||
Подробное описание
Биполярный силовой транзистор PNP разработан для использования в усилителях большой мощности и коммутационных усилителях.
2N3055 (NPN) и MJ2955 (PNP) являются дополнительными устройствами.
Статус
| 2N3055G | |
|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| 2N3055G | |
|---|---|
| N | 1 |
| Корпус | TO-204-2 |
| Код корпуса | 1-07 |
Экологический статус
| 2N3055G | |
|---|---|
| Стандарты и нормы | Pb-free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: 2N3055 (1)
Классификация производителя
- Discretes & Drivers > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
