Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S — Даташит
Производитель | UnitedSiC |
Серия | UF3C065080B7S |
Модель | UF3C065080B7S |
SiC полевой транзистор 650–85 мВт
Datasheets
Datasheet UF3C065080B7S
PDF, 441 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 10 июн 2021, Страниц: 10
650V-85mW SiC FET
650V-85mW SiC FET
Выписка из документа
Цены
Купить UF3C065080B7S на РадиоЛоцман.Цены — от 1 011 до 1 086 ₽ 6 предложений от 2 поставщиков SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7 | |||
UF3C065080B7S Qorvo | 1 011 ₽ | ||
UF3C065080B7S Qorvo | от 1 086 ₽ |
Подробное описание
Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства.
Стандартные характеристики устройства затвор-привод позволяют полностью заменить Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или кремниевые устройства с суперпереходом. Доступное в корпусе D2PAK-7L, это устройство демонстрирует сверхмалый заряд затвора и исключительные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для переключения индуктивных нагрузок и любых приложений, требующих стандартного привода затвора.
Классификация производителя
- SiC FETs