Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S — Даташит

ПроизводительUnitedSiC
СерияUF3C065080B7S
МодельUF3C065080B7S
Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S

SiC полевой транзистор 650–85 мВт

Datasheets

Datasheet UF3C065080B7S
PDF, 441 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 10 июн 2021, Страниц: 10
650V-85mW SiC FET
Выписка из документа

Цены

МОП-транзистор 650V/80mOhm SiC FAST CASCODE G3 D2PAK-7L ENHANCED Rth
Элитан
Россия
UF3C065080B7S
UnitedSiC
639 ₽
UF3C065080B7S
UnitedSiC
от 995 ₽

Подробное описание

Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства.

Стандартные характеристики устройства затвор-привод позволяют полностью заменить Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или кремниевые устройства с суперпереходом. Доступное в корпусе D2PAK-7L, это устройство демонстрирует сверхмалый заряд затвора и исключительные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для переключения индуктивных нагрузок и любых приложений, требующих стандартного привода затвора.

Классификация производителя

  • SiC FETs

На английском языке: Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

ADAR3000/3001 16-канальный формирователь диаграммы направленности для К/Ка диапазона частот от Analog Devices