ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL
РадиоЛоцман - Все об электронике

UnitedSiC анонсирует шесть новых SiC полевых транзисторов в корпусах D2PAK-7L

UnitedSiC UF3C065080B7S UF3C120150B7S UF3SC065030B7S UF3SC120040B7S

Продолжая расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти новейшие карбидокремниевые (SiC) полевые транзисторы, доступные в версиях 30, 40, 80 и 150 мОм, представляют собой еще один шаг вперед в ускорении перехода на SiC в таких приложениях, как серверные и телекоммуникационные источники питания, промышленные зарядные устройства и источники питания, бортовые зарядные устройства для электромобилей и DC/DC преобразователи.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

UnitedSiC - UF3C065080B7S, UF3C120150B7S, UF3SC065030B7S, UF3SC120040B7S

SiC полевые транзисторы в корпусах D2PAK-7L обеспечивают значительно более высокую скорость переключения, а истоки, подключенные по схеме Кельвина, улучшают характеристики драйверов затворов. Кроме того, транзисторы имеют лучшие в отрасли тепловые характеристики. Благодаря использованию спекания с серебром, посадка кристалла может выполняться на обычные печатные платы, а также на сложные изолированные металлические подложки. Кроме того, они имеют большие пути утечки по корпусу и между выводами, составляющие 6.7 мм и 6.1 мм, соответственно, что означает высочайшую степень эксплуатационной безопасности даже при повышенном напряжении.

Новые устройства в корпусах D2PAK-7L полностью поддерживаются онлайн калькулятором FET-Jet компании UnitedSiC. Используя этот бесплатный ресурс, инженеры могут оценить различные рабочие параметры, необходимые для их приложения, провести детальное сравнение характеристик, а затем быстро и уверенно определить, какое решение SiC лучше всего соответствует требованиям к их конструкции.

Цены франко-борт, установленные для новых 650-вольтовых SiC полевых транзисторов в партиях из 1000 штук, находятся в диапазоне от $3.27 за один транзистор UF3C065080B7S до $7.54 за UF3SC065030B7S. Для 1200-вольтовых приборов диапазон цен составляет от $3.10 за UF3C120150B7S до to $10.91 за UF3SC120040B7S. Все устройства можно приобрести у официальных дистрибьюторов UnitedSiC.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: UnitedSiC announces six new D2PAK-7L SiC FETs

6 предложений от 2 поставщиков
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Элитан
Россия
UF3C065080B7S
Qorvo
996 ₽
ЭИК
Россия
UF3C065080B7S
Qorvo
от 1 086 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя