Datasheet UnitedSiC UF3SC120040B7S — Даташит

ПроизводительUnitedSiC
СерияUF3SC120040B7S
МодельUF3SC120040B7S
Datasheet UnitedSiC UF3SC120040B7S

SiC полевой транзистор 1200–35 мВт

Datasheets

Datasheet UF3SC120040B7S
PDF, 438 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 10 июн 2021, Страниц: 10
1200V-35mW SiC FET
Выписка из документа

Цены

Элитан
Россия
UF3SC120040B7S
UnitedSiC
1 300 ₽

Подробное описание

Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства.

Стандартные характеристики устройства затвор-привод позволяют полностью заменить Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или кремниевые устройства с суперпереходом. Доступное в корпусе D2PAK-7L, это устройство демонстрирует сверхмалый заряд затвора и исключительные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для переключения индуктивных нагрузок и любых приложений, требующих стандартного привода затвора.

Классификация производителя

  • SiC FETs

На английском языке: Datasheet UnitedSiC UF3SC120040B7S

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

ADAR3000/3001 16-канальный формирователь диаграммы направленности для К/Ка диапазона частот от Analog Devices