Силовая ИС GaN в корпусе DFN5x6 Эти устройства представляют собой силовые ИС на основе 650 В Power GaN HEMT с использованием фирменной (патент США находится на рассмотрении) технологии E-mode GaN на кремнии. Драйвер затвора интегрирован с основным ...
