KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheets STMicroelectronics - 6

Производитель: "STMicroelectronics"
Найдено: 4,382 Вывод: 101-120

Вид: Список / Картинки

  1. Автомобильный одноканальный светодиодный драйвер 3A со встроенным преобразователем постоянного тока в постоянный Все особенности Квалификация AECQ100 Выходной ток постоянного тока до 3 А Рабочее входное напряжение от 4,5 В до 61 В R DS ( вкл.) = ...
  2. Автомобильный линейный стабилизатор напряжения с настраиваемым выходным напряжением и допустимым током 200 мА Все особенности Соответствует AEC-Q100 Диапазон рабочего напряжения источника постоянного тока от 2,15 В до 28 В Допускаются режимы работы ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. 32-разрядный MCU + TrustZone + FPU Arm Cortex-M33 со сверхнизким энергопотреблением, 165 DMIPS, до 512 КБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM, SMPS
  2. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  1. N-канальный, 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220FP Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  2. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе D2PAK Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  3. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-247 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  4. Автомобильные двухпроводные TVS в DFN для защиты CAN-шины Все особенности Соответствует AEC-Q101 Двухпроводная защита от электростатического разряда и EOS Напряжение срабатывания , В TRIG min = 28 В QFN-3L 1.1 x 1.0 x 0.55 пакет, также называемый ...
  5. Датчик движения с цифровым выходом MEMS: высокопроизводительный 3-осевой акселерометр для автомобильных приложений Все особенности Соответствует AEC-Q100 ± 2 г / ± 4 г / ± 8 г / ± 16 г динамически выбираемая полная шкала Низкое энергопотребление до ...
  6. Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в ...
  7. Синхронный понижающий преобразователь 38 В, 1,5 А с низким током покоя Все особенности Рабочее входное напряжение от 3,5 до 38 В Выходное напряжение от 0,85 В до В IN Выходной ток постоянного тока 1,5 А Внутренняя компенсационная сеть Две разные ...
  8. Кремниевые NPN транзисторы 2N3439 и 2N3440 - это кремниевые эпитаксиальные планарные NPN-транзисторы в металлическом корпусе Jedec TO-39, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях.
  9. Кремниевые NPN транзисторы 2N3439 и 2N3440 - это кремниевые эпитаксиальные планарные NPN-транзисторы в металлическом корпусе Jedec TO-39, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях.
  10. Линия Mainstream Value 8-битный микроконтроллер с флэш-памятью 8 Кбайт, процессор 16 МГц, встроенная EEPROM Все особенности Основной Усовершенствованное ядро STM8 16 МГц с архитектурой Гарварда и трехступенчатым конвейером Расширенный набор ...
  11. N-канал 1500 В, 5 Ом тип., 4 A PowerMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. Полностью ...
  12. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  13. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  14. 4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
  15. Высокая полоса пропускания (22 МГц) Низкое смещение (200 мкВ) Операционный усилитель 5 В Все особенности Произведение на ширину полосы частот 22 МГц, единичное усиление стабильно Входное напряжение смещения с высокой точностью: 50 мкВ тип., 200 мкВ ...
  16. 16-битный изолированный сигма-дельта модулятор, несимметричный и LVDS интерфейсы Все особенности Вход внешнего тактового сигнала до 25 МГц для упрощения синхронизации ± 320 мВ полный диапазон аналогового входа 16-битное разрешение, отсутствие ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России