Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
Кремниевые транзисторы PNP Эти эпитаксиально-планарные транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе СОТ-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN — BD135 и BD139, ...
50 В, 100 мА NPN/PNP, двойной транзистор с резистором; R1 = 47 кОм, R2 = 47 кОм Транзистор NPN/PNP с двойным резистором (RET) в очень маленьком пластиковом корпусе SOT363 (SC-88) для устройства поверхностного монтажа (SMD).
50 В, 100 мА NPN/PNP, двойной транзистор с резистором; R1 = 47 кОм, R2 = 47 кОм Транзистор NPN/PNP с двойным резистором (RET) в очень маленьком пластиковом корпусе SOT363 (SC-88) для устройства поверхностного монтажа (SMD).
Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN Мощный биполярный транзистор Дарлингтона предназначен для усилителей общего назначения и приложений с низкой скоростью переключения. TIP110, TIP111, TIP112 (n-p-n транзистор); TIP115, TIP116, ...
Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN Мощный биполярный транзистор Дарлингтона предназначен для усилителей общего назначения и приложений с низкой скоростью переключения. TIP110, TIP111, TIP112 (n-p-n транзистор); TIP115, TIP116, ...
Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN Мощный биполярный транзистор Дарлингтона предназначен для усилителей общего назначения и приложений с низкой скоростью переключения. TIP110, TIP111, TIP112 (n-p-n транзистор); TIP115, TIP116, ...
Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN Мощный биполярный транзистор Дарлингтона предназначен для усилителей общего назначения и приложений с низкой скоростью переключения. TIP110, TIP111, TIP112 (n-p-n транзистор); TIP115, TIP116, ...
Эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона NPN Мощный биполярный транзистор Дарлингтона предназначен для усилителей общего назначения и приложений с низкой скоростью переключения. TIP110, TIP111, TIP112 (n-p-n транзистор); TIP115, TIP116, ...
