Цитата:

В апреле 2012 года EDN опубликовал схему Джона Фаттарузо*[1], которая позволяет быстро измерить ток насыщения сток-исток и напряжение отсечки как n-канальных, так и p-канальных полевых транзисторов с p-n переходом (JFET). Напряжение отсечки (VP) измеряется путем включения очень большого сопротивления между истоком и землей.

Подробнее: Простая схема, позволяющая более точно определить характеристики JFET

Если есть куча микроамперметров, возьмите с нулём посередине. И не надо 6 диодов и индикаторов полярности.