Источники питания Keen Side

Импульсный стабилизатор на скутер

Страница 5 из 8
Новичок
 
Регистрация: 04.06.2009
Сообщений: 28
Репутация: 10
 
14.06.2009 19:53 #41
Цитата:
Сообщение от lllll
Выбраная Вами микросхема поочерёдно: открывает верхний - закрывает нижний ключ и наоборот. Использовать её в стабилизаторе напряжения неудастся.
Вот вроде подходящая схема,только ее пересчитать надо.может на досуге внесёте изменения?
Последний раз редактировалось Marlboro; 21.06.2009 в 01:23.
Оценка
Литиевые химические источники тока ввиду своей эффективности и относительно невысокой цены получили широкое распространение в различных промышленных устройствах и устройствах IoT. В статье на примере литиевых батареек цилиндрической формы производства FANSO подробно рассматривается эксплуатация и хранение, пассивация и саморазряд каждого из этих типов изделий, влияние окружающей среды на их параметры и срок службы, особенности их выбора для разных проектов.
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,303
Репутация: 2224
2,210 1,153
40 80
 
14.06.2009 22:17 #42
Выбраная вами схема заслуживает тщетельного изучения, а просто атоматического повторения. Это даст возможность в послетствии при необходимости вносить коррекции в её работу. Схему (как я понимаю) вы взяли из http://pdf1.alldatasheet.com/datashe...SC/LM5116.html . Обратите нимание: выходное напряжение определяется напряжением на входе FB (8) (соотношение R3/R4) Ограничение тока задаётся R11. Индуктивность можно определить исходя из формулы стр 16. Ёмкость фильтрующих конденсаторов можно значительно уменьшить, их функции выполнит аккумулятор. Особо следует обратить внимание на конструкцию дросселя. Его сердечник не должен входить в насыщение. Выходные транзисторы придётся использовать другие, с бОльшим допустимым напряжением.
Оценка
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элементов силовой электроники, но обладают своими уникальными преимуществами и ограничениями. Сравним основные характеристики IGBT и SiC MOSFET на примере номенклатуры азиатских производителей.
Новичок
 
Регистрация: 04.06.2009
Сообщений: 28
Репутация: 10
 
14.06.2009 22:38 #43
Цитата:
Сообщение от lllll
Выбраная вами схема заслуживает тщетельного изучения, а просто атоматического повторения. Это даст возможность в послетствии при необходимости вносить коррекции в её работу. Схему (как я понимаю) вы взяли из http://pdf1.alldatasheet.com/datashe...SC/LM5116.html . Обратите нимание: выходное напряжение определяется напряжением на входе FB (8) (соотношение R3/R4) Ограничение тока задаётся R11. Индуктивность можно определить исходя из формулы стр 16. Ёмкость фильтрующих конденсаторов можно значительно уменьшить, их функции выполнит аккумулятор. Особо следует обратить внимание на конструкцию дросселя. Его сердечник не должен входить в насыщение. Выходные транзисторы придётся использовать другие, с бОльшим допустимым напряжением.
вы совершенно верно все описали.пытался сам считать по даташиту.но столкнулся с непонятными для меня переменными. с FB всё ясно,R11 у меня 10ом получился,дросель 230uH при 90В Vin и 10а Iout,С4 0,1uF.
с остальным сложнее. Какие ключи порекомендуете?JMP1 зачем?и имеет ли смысл поставить после выпрямителя электролит потом дросель и уменьшить емкость керамики на входе что бы уменьшить проседание наряжения на нижнем входном пределе?
Последний раз редактировалось Marlboro; 14.06.2009 в 22:49.
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,303
Репутация: 2224
2,210 1,153
40 80
 
14.06.2009 23:27 #44
При таких токах и частотах дроссель будет иметь большие габариты, что ставит под сомнение его использование. Уменьшать ёмкость конденсаторов на входе пожалуй не целесообразно. Какие пременные Вас интересуют?
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 04.06.2009
Сообщений: 28
Репутация: 10
 
15.06.2009 23:00 #45
Цитата:
Сообщение от lllll
Какие пременные Вас интересуют?
как определить какая частота преобразователя оптимальна?с чего начинать расчет?почему при одинаковых типовых схемах LM5116 и LM5118 у первой нижний ключ стоит перед дросселем,а у последней после?
Последний раз редактировалось Admin; 22.08.2015 в 21:38.
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,303
Репутация: 2224
2,210 1,153
40 80
 
16.06.2009 00:16 #46
Микросхемы весьма разнятся по своему назначению, а соответственно и функционально. LM5116 только для регулировки "вниз". LM5116 - для регулировки, как "вниз". так и "вверх" В случаях относительно небольшого снижения входного напряжения. Выбор тактовой частоты, это выбор меньшего из двух зол. С увеличением частоты имеется возможность уменшить габариты дросселя и ёмкости выходных фильтров, но при этом увеличивается суммарное время переключения ключей (они больше находятся в активном режиме и больше греются) Как выход - применение более"шусрых", а соответственно и дорогих транзисторов. Именно с их выбора пожалуй и надо начать.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 04.06.2009
Сообщений: 28
Репутация: 10
 
17.06.2009 12:40 #47
Цитата:
Сообщение от lllll
Выбор тактовой частоты, это выбор меньшего из двух зол. С увеличением частоты имеется возможность уменшить габариты дросселя и ёмкости выходных фильтров, но при этом увеличивается суммарное время переключения ключей (они больше находятся в активном режиме и больше греются)
Другими словами меньше частота выше КПД но больше размер.На сколько важно сопротивление открытого канала?заметил у низковольтных транзисторов в разы меньше сопротивление. Какой запас по току и напряжению должен быть у ключей?На типовых схемах стоят ключи Si7850 и Si7148,не могу найти информацию по ним для сравнения с другими.
Последний раз редактировалось Marlboro; 17.06.2009 в 12:49.
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,303
Репутация: 2224
2,210 1,153
40 80
 
17.06.2009 17:33 #48
Параметры ключей можно посмотреть здесь alldatasheet.com Сопративление открытого канала определяет потери (нагрев ключа) Большое значение имеет время преключения ключа. В этот момент ключ находится в активном режиме, сопративление канала меняется то минимального до максимального и потери максимальны.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 04.06.2009
Сообщений: 28
Репутация: 10
 
17.06.2009 22:56 #49
Цитата:
Сообщение от lllll
Параметры ключей можно посмотреть здесь alldatasheet.com
Спасибо за направление.просмотрел около сотни транзисторов и потерялся в этом многообразии.возникли опять вопросы.меня заинтересовала схема на ML5118(которая немного меньше-много больше).Si7148 это сдвоенный транзистор,возможно ли применение одинарного? каким символом обозначается время переключения?подскажите подходящие ключи.
Изображения
Тип файла: jpg Si7148.jpg (16.4 Кб, 5 просмотров)
Оценка
Гуру
 
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,303
Репутация: 2224
2,210 1,153
40 80
 
18.06.2009 00:08 #50
Turn-On Delay Time - время задержки включения
Rise Time - время включения ( активный режим)
Turn-Off Delay Time - время задержки выключения
В справочных данных даются параметры при которых производятся замеры. для разных приборов они различны. О времени включения можно косьвенно судить по величине ёмкости затвор-исток и затвор-сток чем ниже ёмкость тем "шустрее" транзистор. В отношении использования Si7148 ответить вам затрудняюсь.
Оценка
Ответ
Страница 5 из 8
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 00:45.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх