В основном понятно, вот только по частоте не совсем - так все-таки 100 кГц или 10 МГц?
Разница в 100 раз!
При 10 МГц все теоретические преимущества схемы с нулевым падением напряжения начинают становиться розовой мечтой!
Или может твой крутой препод сам назовет примеры ОУ и транзисторов для такого варианта?
Охотно послушаю.

Если 100 кГц, то работать можно.
Также не указано максимальное выходное напряжение (я предлагал 3 В, но можно взять за основу и другое значение).

Выбрали уже схему или нужен расчет для обеих вариантов?
(там у каждого свои преимущества)

знач 100 кГц.
выходное напряжение : сказал определяеться напряжением питания т.к. нет ограничителей какихто, т.е. говорит 30В.
схемку не выбрали...

а какие особые различия между ними (схемками)

bambur, ну перед тем, как писать всякую чушь вы бы там с твоим начальством хоть протрезвились бы ненадолго!
(или сегодня трава неправильная попалась?)
А то с такими мыслями и по таким условиям можете сами и расчитывать усилители.

Не может выходное напряжение под нагрузкой быть равным напряжению питания!

Более того, в данном конкретном применении усилителя его выходное напряжение определяется не напряжением питания (это можно было бы утверждать, если бы усилитель рассматривался отдельно, сам по себе!), а как я уже писал в пояснениях к схеме измерения - током в измеряемой цепи и сопротивлением резистора ООС - вот эта ООС и является ограничителем, которых по вашему вообще нет!

Любой, кто хоть немного смыслит в усилителях (а твой препод все пытается как раз такого из себя изобразить!) должен прекрасно понимать, что для нормальной работы усилителя его напряжение питания должно превышать максимальное выходное с достаточным запасом, так что если действительно нужно выходное напряжение под 30 В (в чем я глубоко сомневаюсь), то для питания требуется около 40 В, а еще лучше и все 50!

О различиях - первая более экономичная, но и больше подвержена искажениям на ВЧ, вторая соответственно наоборот.
Что окажется важнее, заранее трудно предугадать, особенно, если есть мечта еще и сделать все это в реальности, так что я бы не отбрасывал любого варианта, хотя твой всезнающий руководитель может попытаться силой своего ума определить приоритет, если это у него получится...

тогда на твой выбор с напряжениями, экономичность не особо имеет значение я думаю.

Ладно, попробуем.

Итак, для начала имеем:
Ток нагрузки 3(5) А.
Напряжение питания 2 * 15 = 30 В.
Максимальная частота 100 кГц.
Выходное напряжение - 3(5) В, соответственно току нагрузки.

Выберем для начала выходные транзисторы, которые и должны обеспечить большинство вышеуказанных параметров.
Если нужен выходной ток в 3(5) А, то соответственно нужны транзисторы, которые будут достаточно хорошо работать при таком токе, т.е. способные усиливать в 20-50 раз.
Они должы иметь допустимое напряжение, превышающее с запасом 30-50% напряжение питания, т.е. при 30 В соответственно не менее 40-45 В.
Максимальная мощность транзистора должна быть не меньше, чем произведение максимального тока на половину напряжения питания (т.к. транзисторов всего два - каждому по половине, можно также считать и наоборот - полное напряжение питания при половине тока, но смысл остается такой же), т.е. 5 А * 15 В = 75 Вт.
Эти транзисторы должны иметь граничную частоту не меньше, чем требуемая частота усилителя, умноженная на их Ку, т.е. при 0,1 МГц соответственно 2-5 МГц.

Данным требованиям соответствуют например транзисторы КТ818БМ и КТ819БМ, для которых:
Допустимое напряжение не менее 40 В.
Ку при напряжении между к-э равном 5 В и токе 5 А не менее 20;
Граничная частота не менее 3 МГц.
Максимальная мощность 100 Вт.

Однако параметры и надежность усилителя можно еще повысить, применив вместо каждого из транзисторов по два, включенных параллельно, что дает следующие преимущества:

Уменьшается тепловая нагрузка на каждый из транзисторов, т.к. общая мощность при нагреве распределяется между ними (75 Вт / 2 = 37,5 Вт), а максимальная удваивается (2* 100 Вт = 200 Вт), соответственно легче обеспечить требуемое для надежной работы охлаждение (также становится возможным применение транзисторов в пластмассовых корпусах КТ818Б и КТ819Б с максимальной мощностью 60 Вт, которые легче установить на теплоотводе).
Увеличивается Ку двойного транзистора при максимальном токе, т.к. при этом ток через каждый из них будет равен только половине общего, т.е. 5 / 2 = 2,5 А, а при токе 2,5 А Ку данных транзисторов значительно выше, чем при токе 5 А (Ку можно смело принять равным 30 вместо 20).

Для выравнивания токов в двойном транзисторе в цепи их эммиттеров надо включить сопротивления, чтобы при максимальном токе падение напряжения на этих сопротивлениях были не меньше, чем 5-10% от напряжения б-э (оно может быть 1-2 В, значит на сопротивлениях должно быть около 0,1 В при токе 2,5 А, т.е. сопротивления будут примерно по 0,1 В / 2,5 А = 0,04 Ом).

Ну вот, выходные транзисторы какбы уже выбраны!
Пора в ресторан!
(bambur угощает!)

ух.
клёво.

а рисунок с двойными сделаешь?
и резисторы и сам оу какие брать?

Цитата:

Сообщение от bambur

а рисунок с двойными сделаешь?

А че тут сложного?
Базы - к базе, коллекторы - к коллектору, эммиттеры - к эмиттеру через сопротивления (о них я уже писал) - вот и все!
Потом может и сам нарисую, когда с остальными деталями разберемся, чтобы много раз не переделывать.

Цитата:

Сообщение от bambur

и резисторы и сам оу какие брать?

Подробнее об этом позже, может завтра - на сегодня от меня уже пожалуй текста хватит.

ну что сегодня я тогда то что есть ему покажу?
или чтонить ещё?