|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,654
Репутация: 267
 |
Цитата:
В апреле 2012 года EDN опубликовал схему Джона Фаттарузо*[1], которая позволяет быстро измерить ток насыщения сток-исток и напряжение отсечки как n-канальных, так и p-канальных полевых транзисторов с p-n переходом (JFET). Напряжение отсечки (VP) измеряется путем включения очень большого сопротивления между истоком и землей.
|
||
|
Оценка
|
|
Реле, применяемые в потребительской электронике, должны отличаться хорошим соотношением «цена/качество», надежностью, удобством обслуживания, соответствующей сертификацией и другими эксплуатационными характеристиками. Компания Hongfa предлагает продукцию, которая подходит под эти требования и может использоваться практически во всех функциональных узлах бытовых приборов. В качестве примера рассмотрим автоматизацию электрического нагрева воды в бытовом бойлере.
 |
|
Новичок
Регистрация: 02.01.2010
Сообщений: 33
Репутация: 18
|
R1 10М , это по мне 10 МегоОм.
А если 10 милиОм то 10мО. Я, как то так привык. А то путаница какая то. Кстати 10 микроОм обозначают 10 uОм. |
||
|
Оценка
|
|
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремниевым диодам с быстрым восстановлением (FRED). Но смогут ли SiC SBD их полностью вытеснить в ближайшие годы?
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
