Александр! Цифровик!
Для начала - научитесь писать термины без ошибок. Коллектор - действительно пишется с двумя "л". Но эмиттер - с одной "м" и двумя "т".
По поводу "перехода коллектор-эмиттер" - просто ссылка на картинки тындекса: https://ya.ru/images/search?text=структура биполярного транзистора Между коллектором и эмиттером - нет перехода. Между ними их два.
И так далее.

Потом - перейдём к оформлению мыслей. Например:

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

В режиме насыщения. При увеличение тока базы. Он определяется бетой транз. .....

Ток базы определяется бетой. Требуемой для ввода транзистора в насыщение, пожалуй, - да. Какую бету Вы предпочтёте для расчёта насыщенного ключа на BD138 при токе коллектора 1 А и напряжении насыщения менее 0,3 В?
А вот ток, который по факту будет течь через переход база-эмиттер насыщенного ключа - определяется внешними цепями. Если подать его от стабилизатора тока, то он будет задан стабилизатором. Если подавать от чего-то похожего на источник напряжения через последовательный резистор (резистор БЭ пока опустим), то он будет определяться по закону Ома: Iб = (Uист - Uбэ) / R. При этом Uбэ - само зависит от тока базы. Какое Uбэ Вы бы приняли в расчёте предыдущего ключа?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

При увеличение тока базы. Он определяется бетой транз. до определенного значения оба перехода полностью открываются.

К этому утверждению я и задал вопрос: "Кто на ком стоял?" Потому, что Вы очень невнятно попытались описать простые факты: "бета - не постоянна" и "при глубоком насыщении коллекторный переход открывается в прямом направлении". Можно прочесть это как "до определенного значения [тока базы] оба перехода полностью открываются." А после, что - закрываются обратно что ли? Кстати, почему при глубоком насыщении (Uk < Uб, в транзисторе n-p-n) коллектор продолжает захватывать большую часть неосновных носителей тока базы (электронов в транзисторе n-p-n), инжектированных в базу эмиттером?

Цитата:

Сообщение от spasatell

раскажи о работе однопереходного транзистора. с точки зрения твоей теории.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

На концах кристалла расположены оммические контакты - базы В1 и В2.
Между ними находиться область с p -n каналом которая выполняет роль эмиттера.
Ну дальше объяснять не буду, тут все понятно умному. Физику работы.

Орфография - бог с ней. Но факты и, главное, аргументация - выше всяких похвал. Слив засчитан.
Ведь и правда - интересно, за счёт чего получается отрицательное сопротивление при открытии эмиттерного перехода ОПТ? За счёт инжектированных эмиттером носителей тока падает сопротивление части канала между эмиттером и одной из баз?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Ещё забыл важное. Тут на его типовой схеме если снимать сигнал пилы, то нужно применять каскад с большим входным сопротивлением

Для КТ117 выходное сопротивление генератора принимается на уровне 100 Ом и прямо с него сигнал идёт на тиристор (https://publ.lib.ru/ARCHIVES/M/''Massovaya_radiobiblioteka''_(seriya)/Massovaya_radiobiblioteka,v.1104.(1987).[djv].zip Кублановский Я.С. Тиристорные устройства. М.: Издательство «Радио и связь», 1987. Серия «Массовая радиобиблиотека», вып. 1104, стр. 28-31).

!Neofit,

А дальше после КТ117 есть КТ118 (А-В). Что про него расскажите, только своими словами, коротко и понятно.
Применяли его в железе ?
Я применял в двух схемах.
И не надо литературой хвастать. Ее сейчас полно и разное
пояснения работы транзисторов. Так что пока в железную
схему не поставишь и он по времени работы даст положительные
или отрицательные результаты понять трудно. Особенно из советской
базы с выпусками 89- 90 годов и ранее. Производили их разные заводы.

Ответ встречным вопросом и уводом в другую сторону. Нет, с КТ118 не сталкивался.
Что по расчётам насыщенного режима у BD138? Там, где я зелёным курсивом выделил контрольные вопросы?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Так что пока в железную схему не поставишь...

Чтобы поставить в железо - надо понимать принцип работы и вытекающие из него ограничения. Иначе - доводка "железа" будет забегом по минному полю.

Цитата:

Сообщение от !Neofit

Ответ встречным вопросом и уводом в другую сторону. Нет, с КТ118 не сталкивался.
Что по расчётам насыщенного режима у BD138? Там, где я зелёным курсивом выделил контрольные вопросы?


Чтобы поставить в железо - надо понимать принцип работы и вытекающие из него ограничения. Иначе - доводка "железа" будет забегом по минному полю.

Принцип работы обычных биполярных транзисторов простой. Достаточно при выборе посмотреть даташит или этикетку от упаковки
советских. Там указаны все параметры, и рабочие, предельные.
А вот различные сборки типа КТ 118, там даны общее назначение.
например применение в модуляторах. Но кроме того его можно применять в дифф каскадах и в ключах с малым падением напряжения, где я их и применял. Их ещё применяли в старых советских блоках АЦП, сделанных на микросхеме 155 ИР17.
Они там применялись для зажигания светодиодов показывающий
двоичный выходной код. Очень практичная схема. Такой небольшой блок. Вот оттуда я их и снимал. Просто тогда это все устарело уже.
АЦП были уже в интегральном исполнении, тесть микросхемы.

Не понял я насчёт BD138, в какой моей схеме он стоит ?
и что за вопросы ?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Не понял я насчёт BD138, в какой моей схеме он стоит?

Это для примера, как бы Вы сосчитали режим насыщения. Давайте заменим BD138 на какой-нибудь другой импортный транзистор. Хотите - на 2N2222 при токе 0,5 А?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

и что за вопросы ?

Вы первое сообщение этой темы не читали?

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

А вот различные сборки типа КТ118, там даны общее назначение. например применение в модуляторах. Но кроме того его можно применять в дифф каскадах...

Какой выигрыш даст 2-транзисторная сборка с общим коллектором в дифференциальном каскаде? В каком дифкаскаде - входном или после него? Пример схемы - можете дать?

Последние ваши строчки, насчёт дифф. каскада я видел

схему на входе УНЧ. Не могу вам схему скинуть, работаю
со Смарта. Сам в этом режиме не использовал. Там полностью
идентичные пары транзисторов. Сборка две базы, два эмиттера и на общий коллектор. КТ118. Самое главное малое падение напряжения
100 мв, Она кремниевая, вообще в кремния 0.6 в падение. За счёт того что транзисторы в ней предназначены
для работы в инверсном включении, то- есть переход база - колл. смещен в прямом направлении а переход база - эмитт. в обратном.
5 выводов ее в обычном круглом корпусе, как у КТ117. Места на плате
как один трёх выводной транзистор.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

схему на входе УНЧ. Не могу вам схему скинуть, работаю
со Смарта. Сам в этом режиме не использовал. Там полностью
идентичные пары транзисторов.

Её можно использовать только в режиме эмиттерного повторителя. Так что дифкаскада из неё не получится и вся её согласованность при применении на входе усилителя - побоку.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Самое главное малое падение напряжения 100 мв ..... За счёт того что транзисторы в ней предназначены для работы в инверсном включении

Это - в инверсном ключевом режиме (см. МРБ 887), что тоже не относится к усилительным дифкаскадам.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Она кремниевая, вообще в кремния 0.6 в падение.

Ошибка. В глубоком насыщении, у "кремния" - меньше 0,6 В. При малых токах - может доходить до десятков мВ. Например - у 2N2222, упомянутого выше.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Последние ваши строчки, насчёт дифф. каскада я видел

Ну а первое сообщение - прочли ещё раз? Как бы Вы рассчитывали ключ с общим эмиттером? Или - только подбором в железе?

Да это я перепутал с падением с другой парой.
У этих падение на открытом ключе 0,12 мв. Практически падения нет.
Сопротивление открытого ключа 35 ом.
Мне эти параметры важны. А дифф. каскад на ней
это не моя стихия. Хотя как пишут обладает большим усилением.
А в частотах до 25 кГц он будет хорошо работать.
Их вообще в советских измерительных приборах ставили,
и как раз по входу.