Добрый день

подскажите пожалуйста

MC33152 драйвер N канального MOSFET, структурную схему из datasheet приатачил

если выход притянуть к положительному потенциалу резистором 90k, т.е. чтобы "перетянуть" встроенную подтяжку к отрицательному

можно ли использовать как драйвер P канального MOSFET

спасибо

Лист данных http://www.onsemi.ru.com/pub_link/Co.../MC34152-D.PDF, рисунок №21 (изолированный драйвер MOSFET). А то, что предложили, нарисуйте, по моему не пойдёт.

Цитата:

Сообщение от kreking

Лист данных http://www.onsemi.ru.com/pub_link/Co.../MC34152-D.PDF, рисунок №21 (изолированный драйвер MOSFET).

не понял

вот нашел http://www.power-e.ru/pdf/2009_2_38.pdf
ниже схема из статьи управление P полевиком драйвером для N полевика,

для меня не совсем понятна, верхняя часть, позже в мультисиме просимулирую . . .

Цитата:

Сообщение от kreking

А то, что предложили, нарисуйте, по моему не пойдёт.

хорошо, позже, сейчас нет доступа

Цитата:

Сообщение от ostrov

не понял...ниже схема из статьи управление P полевиком драйвером для N полевика,...для меня не совсем понятна, верхняя часть, позже в мультисиме просимулирую...

Схема с трансформатором из листа данных на MC33152, вторичную обмотку перевернуть, к Р-канальному пойдёт. Из статьи, приведённой по Вашей ссылке, в тексте написано "В этой схеме Dz, Rz и Ch добавлены к стандартной схеме на n-канальном MOSFET-транзисторе. Конденсатор Ch, который «удерживает» постоянное напряжение между верхней и нижней схемами управления, должен быть существенно больше, чем входная емкость p-канального MOSFET. Dz удерживает напряжение между затвором и истоком в диапазоне от минуса напряжения на диоде Зеннера до 0.
Цепочка Ch и Rz определяет скорость изменения постоянного напряжения на Ch. Если эта емкость слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz. Если емкость Ch будет слишком велика, p-канальный MOSFET будет включаться слишком медленно. Это будет происходить из-за медленного
нарастания фронта на затворе транзистора и может привести к его повреждению. Rh2 и R12 регулируют скорость закрывания MOSFET. (Rh1+Rh2) и (R11+R12) определяют скорость включения транзистора. В большинстве применений требуется более низкая скорость открытия и более высокая скорость закрытия транзистора [4]."
Очень много ограничений, я бы не рискнул такой драйвер ставить. Коричневым текстом отмечено не соответствие, предполагаю, с уменьшением ёмкости конденсатора, ток должен уменьшаться а не увеличиваться, может я не прав. Ради интереса, попробую в микрокапе.

Цитата:

Сообщение от ostrov

если выход притянуть к положительному потенциалу резистором 90k, т.е. чтобы "перетянуть" встроенную подтяжку к отрицательному можно ли использовать как драйвер P канального MOSFET

нельзя.
1 - 100к - это не подтяжка к земле. это обеспечение некоторой определенности в момент переключения плеч драйвера.
2 - этим драйвером вообще нельзя управлять р-канальными. впрямую, разумеется. либо ставить на выходе трансформатор, либо еще один драйвер из пары комплементарных транзисторов, включенных повторителями.

Цитата:

Сообщение от kreking

Схема с трансформатором из листа данных на MC33152, вторичную обмотку перевернуть, к Р-канальному пойдёт.

а ну да, примерно так и предположил, поменять фазировку трансформатора
но габаритно получается с трансформатором

Цитата:

Сообщение от kreking

... я бы не рискнул такой драйвер ставить ...

я ранее конечно не сталкивался подобными задачами, драйвер P полевика, но как то с ходу готовых решений (аналог драйверов N канальных) не нашел, ни инфы в интернетах ни наличия у поставщиков.

Цитата:

Сообщение от Vilsi

нельзя.
2 - этим драйвером вообще нельзя управлять р-канальными. впрямую...

а каким можно

вот еще http://kazus.ru/forums/showthread.php?t=23940&page=3
два последних поста, схема ниже

"Комрады, все оказалось проще.
Используем обычный драйвер нижнего уровня, "развернув" его по питанию относительно истоков верхних транзисторов."

Цитата:

Сообщение от ostrov

...Используем обычный драйвер нижнего уровня, "развернув" его по питанию относительно истоков верхних транзисторов."

А габариты?

Цитата:

Сообщение от ostrov

...но габаритно получается с трансформатором...

Цитата:

Сообщение от kreking

А габариты?

имеете ввиду что все равно нужен изолированный источник питания?

а в принципе схема рабочая?

Цитата:

Сообщение от kreking

предполагаю, с уменьшением ёмкости конденсатора, ток должен уменьшаться а не увеличиваться

вот нашел оригинальную доку http://www.ixys.com/Documents/AppNot...nel_MOFETs.pdf

там тоже "Если эта емкость слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz"

Цитата:

Сообщение от ostrov

имеете ввиду что все равно нужен изолированный источник питания?...а в принципе схема рабочая?
...вот нашел оригинальную доку...там тоже "Если эта емкость слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz"

С английским не силён, но на протяжении многих лет перевод слов и словосочетаний технических терминов с помощью переводчика Google, остаётся в памяти.
Начнём с драйвера MC33152 (http://onsemi.com) "MC33152: MOSFET Driver, High Speed, Dual" http://www.onsemi.ru.com/pub/Collateral/MC34152-D.PDF. На странице 2 в таблице "MAXIMUM RATINGS" (максимальные значения), в примечании 1 написано: "Для достижения оптимальной скорости переключения, максимальное входное напряжение должно быть ограничено между 10 В и VСС.". На первой странице написано (особенности), время нарастания и спада выходного сигнала 15 нс при ёмкости нагрузки 1000 пф. На 3-ей странице (электрические характеристики) при напряжении питания (Vcc)=12 В, указаны выходные токи при низком и высоком уровнях, т. е. максимальное напряжение низкого уровня при 400 мА - 2,5 В (~6,3 Ом), высокого уровня минимальное - 10 В (~5 Ом). Характеристики переключения (минимальное время задержки и максимальное) отличаются более 2-х раз, это надо учитывать если разные драйверы на P-канальный и N-канальный транзисторы. Для теста драйвера Р-канального транзистора, выбран IRFP9240 (входная ёмкость 1400 пф при -25 В), N-канальный - IRFP240. В статье написано, что ёмкость Ch должна быть значительно больше входной ёмкости транзистора, возьмём 10*Ch. Как ни старался подбирать элементы, импульсная мощность рассеиваемая верхним транзистором, исчисляется киловаттами, ясно, что ему не долго жить при такой работе. Изменение ёмкости Ch, не сильно сказывается на ток, но на напряжение на затворе P-канального транзистора - сильно. Транзистор полностью не открыт. И ещё одна проблема - это при включении, когда конденсатор Ch разряжен, будет бросок тока, дальше по сценарию... Очередной раз убедился, не всё то, что пишут, можно применить. Нормальное безопасное напряжение на затворе -7,5 В (закрытое состояние) и 15 В (в открытом состоянии), для Р-канального инверсные напряжения.