|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,667
Репутация: 267
 |
Цитата:
В апреле 2012 года EDN опубликовал схему Джона Фаттарузо*[1], которая позволяет быстро измерить ток насыщения сток-исток и напряжение отсечки как n-канальных, так и p-канальных полевых транзисторов с p-n переходом (JFET). Напряжение отсечки (VP) измеряется путем включения очень большого сопротивления между истоком и землей.
|
||
|
Оценка
|
|
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова в открытом доступе. Для оформления покупки вам нужно только авторизоваться. На сайте по выгодным ценам представлена продукция более 4 000 азиатских производителей с возможностью покупки от 1 шт. Они предлагают как собственные оригинальные изделия, так и аналоги продукции производителей, ушедших из России. Данные товары обладают доступной ценой, имеют высокие показатели качества и стабильные каналы поставки на отечественный рынок.
 |
|
Новичок
Регистрация: 02.01.2010
Сообщений: 33
Репутация: 18
|
R1 10М , это по мне 10 МегоОм.
А если 10 милиОм то 10мО. Я, как то так привык. А то путаница какая то. Кстати 10 микроОм обозначают 10 uОм. |
||
|
Оценка
|
|
В статье приведена подробная практическая инструкция (включающая примеры кода) по работе с OLED-дисплеями и дисплейными модулями с последовательными интерфейсами SPI/UART китайского производителя Jirun. Компания поставляет OLED-дисплеи и OLED-модули семи базовых моделей с диагоналями от 1,54 до 5,5 дюймов (от 128×32 до 256×64 пикселя) в двух вариантах – стандартные для промышленного использования и интеллектуальные с микроконтроллерным управлением.
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
