Публикации: ���������� ��� - 2

N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...

N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...

1-Сhannel Transistor Output Type Photo Coupler

1-Сhannel Transistor Output Type Photo Coupler

1-Сhannel Transistor Output Type Photo Coupler

1-Сhannel Transistor Output Type Photo Coupler

МОП-транзистор с малым сигналом, 30 В, 0,35 А, 3,7 Ом, -30 В, -0,2 А, 10,4 Ом, комплементарный MCPH6 Устаревший MCH6613 — это маломощный МОП-транзистор, 30 В, 0,35 А, 3,7 Ом, -30 В, -0,2 А, 10,4 Ом, комплементарный MCPH6 для универсальных ...

МОП-транзистор с малым сигналом, 30 В, 0,35 А, 3,7 Ом, -30 В, -0,2 А, 10,4 Ом, комплементарный MCPH6 Устаревший MCH6613 — это маломощный МОП-транзистор, 30 В, 0,35 А, 3,7 Ом, -30 В, -0,2 А, 10,4 Ом, комплементарный MCPH6 для универсальных ...

Рассмотрены электрические модели солитона, способные имитировать линейное, плоскостное и объемное распространение волн ударного возбуждения в различных средах. Простейшая нереверсивная модель солитона выполнена на основе повторителя напряжения с ...

Ученые физического факультета и Института ядерной физики им. Д. В. Скобельцына МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института разработали метод улучшения характеристик мемристоров на основе оксидов металлов при помощи облучения ...