Публикации: 40H - 2

11. BUK7M3R3-40H — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    Автомобильный стандартный N-канальный MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
    19 февраля 2019

12. BAS40H,115 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: BAS40H,115 Производитель: NXP Описание: SWITCHING диод, 40 В, SOD-123F Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BAS40 series; 1PSxxSB4x series General-purpose Schottky diodes Rev. 08 -- 13 January 2010 Product data ...
    22 апреля 2011

13. BUK9M3R3-40HX — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    Автомобильный логический уровень N-канального MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
    19 февраля 2019
14. MBR40H100WTG — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    Наименование модели: MBR40H100WTG Производитель: ON Semiconductor Описание: Диод, Шоттки, 40 А, 100 В, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBR40H100WT SWITCHMODETM Power Rectifier 100 V, 40 A Features and Benefits · · · · · · ...
    22 апреля 2011
15. BUK9M3R3-40H — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    Автомобильный логический уровень N-канального MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
    19 февраля 2019
16. BUK7V4R2-40HX — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    

    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    1 марта 2021
17. BUK7V4R2-40H — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    1 марта 2021
18. BUK9V13-40HX — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    

    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    1 марта 2021
19. BUK9V13-40H — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    1 марта 2021
20. BUK7S0R5-40HJ — Datasheet Nexperia
    Datasheets
    

    N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
    31 мая 2021

Сортировать по: релевантность / дата