Публикации: 40H

1. BUK7S0R5-40HJ — Datasheet Nexperia
   Datasheets
   

   N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
   31-05-2021

2. BUK7S0R5-40H — Datasheet Nexperia
   Datasheets
   N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
   31-05-2021

3. Новые 40-вольтовые MOSFET от Nexperia обеспечат высочайшую плотность мощности в автомобильных и промышленных приложениях
   Новости Дискретные компоненты Авто Nexperia BUK7S0R5-40H PSMNR55-40SSH
   .. с сопротивлениями открытых каналов 0.55 мОм в высоконадежных корпусах LFPAK88, предназначенных для автомобильных ( BUK7S0R5-40H ) и промышленных ( PSMNR55-40SSH ) приложений. Эти устройства имеют самые низкие сопротивления открытых каналов ...

   Low R_DS(on) 40 V MOSFETs from Nexperia deliver highest power density for Automotive and Industrial applications

   .. announced new 0.55 mΩ R DS(on) 40 V power MOSFETs in the high-reliability LFPAK88 package for automotive ( BUK7S0R5-40H ) and industrial ( PSMNR55-40SSH ) applications. These devices are the lowest R DS(on) 40 V parts that Nexperia has ...

   31-05-2021
4. BUK9V13-40HX — Datasheet Nexperia
   Datasheets Nexperia BUK9V13-40HX
   

   Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
   01-03-2021
5. BUK9V13-40H — Datasheet Nexperia
   Datasheets Nexperia
   Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
   01-03-2021
6. BUK7V4R2-40H — Datasheet Nexperia
   Datasheets Nexperia
   Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
   01-03-2021
7. BUK7V4R2-40HX — Datasheet Nexperia
   Datasheets Nexperia BUK7V4R2-40HX
   

   Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
   01-03-2021
8. Nexperia расширяет семейство MOSFET полумостов LFPAK56D
   Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Nexperia BUK7V4R2-40H BUK9V13-40H
   .. прижимном контакте, обеспечивает снижение этой индуктивности на 60%. Новые MOSFET полумосты получили обозначения BUK7V4R2-40H и BUK9V13-40H . В производстве обоих приборов используется надежный кремниевый техпроцесс Trench 9, разработанный ...

   Nexperia extends LFPAK56D MOSFET line-up with AEC-Q101-qualified half-bridge package

   .. LFPAK56D half-bridge package achieves 60% less inductance. The new LFPAK56D half-bridge MOSFETs launched are the BUK7V4R2-40H and the BUK9V13-40H . Both utilise the highly robust Trench 9 automotive silicon process technology, are rated at ...

   01-03-2021
9. Недорогой анемометр борется с пылью
   Схемы Измерения Maxim MAX1618 MAX1661 MAX4626
   .. Datasheet ON Semiconductor FDN335N Datasheet ON Semiconductor FDN336P Приложение. Команды I 2 C Запись в MAX1661 (адрес = 40h): F3h F2h Разомкнуть все ключи; затем замкнуть измерительные ключи Запись в MAX1661 (адрес = 30h): 09h 48h Запись ...

   Low-cost anemometer fights dust

   .. FDN335N Datasheet ON Semiconductor FDN336P Application. Teams I 2 C I 2 C instructions Write to MAX1661 (address = 40h): F3h F2h Turn off all switches; Then turn on measurement switches Write to MAX1618 (address = 30h): 09h 48h Write ...

   07-08-2019
10. Nexperia начала производство новых миниатюрных 40-вольтовых автомобильных MOSFET со сверхнизкими сопротивлениями каналов
    Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Nexperia BUK7M3R3-40H BUK9M3R3-40H
    .. могут использоваться в диапазоне приложений от 30 Вт до 300 Вт. Сопротивления открытых каналов транзисторов BUK7M3R3-40H и BUK9M3R3-40H (стандартный и логический уровень управления, соответственно) составляют всего 3.3 мОм. Уменьшенное ...

    Nexperia launches 40 V low R_DS(on) automotive MOSFETs in a 3x3 mm footprint for demanding powertrain applications

    .. of 48% when compared to previous technology devices, covering a range of applications from 30 W up to 300 W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature an R DS(on) of just 3.3 mΩ. Improved R DS(on) and ...

    19-02-2019

Сортировать по: релевантность / дата