Новости Электроники 2, 2008 Микроэлектронные реле сравнительно небольшой мощности, которые выпускаются компанией OMRON , находят широкое применение в управлении двигателями и соленоидами, в системах распределения электроэнергии, в измерительной ...
.. Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description l HEXFET® Power MOSFET S1 G1 S2 G2 Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 4.9 А ...
.. или емкостными). Коэффициент передачи (отношение выходного напряжения Uвых к напряжению, развиваемому генератором несущей G1) Т-моста равен нулю при условии Z1= =4Z2. Если сопротивление Z2 увеличить. на выходе моста Появляется напряжение, ...
.. LOGIC, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95176 HEXFET® Power MOSFET l l l l l l l l IRF7301PbF S1 G1 S2 G2 Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 4.3 А ...
.. В=4*10 -6 *100*9*0,06/3,65=59*10 -6 Тл, что значительно меньше индукции насыщения. Волновое сопротивление линии g1=50 Ом. Во втором ТДЛ целесообразно применять такие же кольца, как и в первом. Тогда Lл=13,5 мкГн, w=9 витков. 7. ...
.. мкВ. Приемник построен на супергетеродинной схеме с одним преобразованием частоты (рис. 1). Гетеродин состоит из генератора G1 с кварцевой стабилизацией частоты, вырабатывающего колебания частотой 45 МГц, утроителей частоты U3, U4, усилителя А4 ...
Наименование модели: IRF7380PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95723A IRF7380PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High frequency ...
