Публикации: arc 250 igbt - 4

31. STGW35NB60SD — Datasheet STMicroelectronics -
    Datasheets
    

    .. Ic Continuous a Max: 70 А Package / Case: TO-247 Power Dissipation: 200 Вт Power Dissipation Pd: 200 Вт Pulsed Current Icm: 250 А Rise Time: 70 нс Termination Type: Through Hole Полярность транзистора: N Channel Voltage Vces: 600 В RoHS: есть ...
    .. модели: STGW35NB60SD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW35NB60SD N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop ...
    31 октября 2010

32. STGW35NC60WD — Datasheet STMicroelectronics -
    Datasheets
    

    .. -55°C to +150°C Корпус транзистора: TO-247 Current Ic Continuous a Max: 37 А Package / Case: TO-247 Power Dissipation: 250 Вт Power Dissipation Pd: 250 Вт Pulsed Current Icm: 100 А Rise Time: 12 нс Termination Type: Through Hole ...
    .. модели: STGW35NC60WD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, N 600 В 40 А TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW35NC60WD 40 A, 600 V ultra fast IGBT ...
    31 октября 2010

33. IXGR32N170H1 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ISOPLUS-247 Current Ic Continuous a Max: 38 А Fall Time tf: 250 нс Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W Package / Case: ISOPLUS-247 Pin Configuration: Copack (FRD) Rise ...
    .. модели: IXGR32N170H1 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Advance Technical Information High Voltage IGBT with ...
    31 октября 2010
34. IXGR60N60B2 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 75 А Collector Emitter Voltage Vces: 2 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: IXGR60N60B2 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Advance Technical Data HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM ...
    31 октября 2010
35. IXGR60N60B2D1 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 75 А Collector Emitter Voltage Vces: 2 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: IXGR60N60B2D1 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Advance Technical Data HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM ...
    31 октября 2010
36. IXGR60N60C2 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 75 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: IXGR60N60C2 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM Lightspeed 2TM Series ...
    31 октября 2010
37. IXGR60N60C2D1 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 75 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: IXGR60N60C2D1 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM Lightspeed 2TM Series ...
    31 октября 2010
38. IXSR35N120BD1 — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 70 А Collector Emitter Voltage Vces: 3.6 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: IXSR35N120BD1 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGBT with Diode ISOPLUS 247TM Short Circuit SOA ...
    31 октября 2010
39. SGW30N60 — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: SGW30N60 Производитель: Infineon Описание: IGBT, FAST Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Collector Emitter Voltage ...
    31 октября 2010
40. SGW30N60HS — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Collector Emitter Voltage Vces: 3.15 В Power Dissipation Max: 250 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ...
    .. модели: SGW30N60HS Производитель: Infineon Описание: IGBT, TO-247 Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 41 А Collector Emitter ...
    31 октября 2010

Сортировать по: релевантность / дата