.. из оксида алюминия, используемые в продукции конкурентов. Новые 600В- и 1200В- модули совмещают в себе высокоскоростные IGBT транзисторы и оптимизированными диодами. Это позволяет выполнить устройство в одном корпусе, а также сэкономить ...
.. Highlights The 50MT060ULS is a fully-insulated low-side chopper module, made with an International Rectifier Ultrafast IGBT and a HEXFRED® diode with ultrasoft reverse recovery current. The 50MT060WH is a fully-insulated half-bridge ...
.. Rectifier представила новые WARP2 TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания ...
International Rectifier introduces new WARP2 TM 600V 50A, 35A and 20A non-punch through (NPT) IGBTs with improved turn-off characteristics for high current, high frequency switch-mode power supply (SMPS) circuits in telecom and server systems. The ...
.. октября 2003 г. - International Rectifier, IR® представила пару 600V 50A дискретных NPT IGBT для систем управления электродвигателями. Стабильная и надежная работа двигателя достигается за счет квадратной ...
October 16, 2003- International Rectifier, IR® introduces a pair of 600V 50A non-punch-through (NPT) discrete IGBTs for motor drive applications in D2Pak and TO-220. These IGBTs feature a square reverse bias safe operating area (RBSOA) and ...
.. различные комбинации токовых обратных связей. Модули IR отличаются от модулей Mitsubishi, где применяются Trench IGBT, и модулей Fairchild, выполненных с применением так называемых Current Sence IGBT (часть структуры кристалла ...
.. 29, 2004 - Fairchild Semiconductor introduces a new 1000V/60A IGBT that delivers superior switching and conduction characteristics as well as avalanche ruggedness in induction ...
.. Rectifier, IR® introduced the IRGP50B60PD , a 600V non-punch-through (NPT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) co-packaged (Co-Pack) with an enhanced 25A HEXFRED® diode capable of operating at switching speeds up to ...
.. механически совместимую альтернативу старым модулям Econo IGBT2 и IGBT3. Новые EconoPIMTM и EconoPACKTM содержат кристалл IGBT 4 поколения и фирменные ECD диоды с быстрым восстановлением четвертого поколения, что за последние годы стало ...
.. International Rectifier объявила о разработке четырех новых моделей биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Новые IGBT транзисторы, выполненные по траншейной технологии, имеют высокую плотность тока и могут пропускать ...
.. up to 60% higher rms current in the same package compared to previous devices on the market. The reduced power dissipation IGBT can result in a 50% heatsink size reduction. Other performance benefits include wider square reverse bias safe ...
.. модели: IRG4PH50S-EPBF Производитель: International Rectifier Описание: Одиночный IGBT, 18 В, 57 А Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 57 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ ...
