Публикации: ��������42��40-��4-��2 - 4

31. IPB052N04N G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. модели: IPB052N04N G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 70 А, 40 В, PG-TO263-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: If^S # ! ! %&$!# # : A 0< < & ,9=4 : < => 6LHZ[XLY R 3 ...
    28-03-2011

Купить 424042 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 3 358 ₽ 11 предложений от 5 поставщиков Drill bit; CK-424038,CK-424039,CK-424040,CK-T3214,CK-T3224
Триема Россия	НА2.424.042 фонарь сигнальный (для цоколя B)	25 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	424042	от 1 574 ₽	Купить

32. IPD090N03L G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 Current Id Max: 40 А Power Dissipation Pd: 42 Вт Тип транзистора: Power MOSFET RoHS: есть
    .. модели: IPD090N03L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Type IPD090N03L G IPS090N03L G IPF090N03L G ...
    28-03-2011

33. IPD105N04L G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 Current Id Max: 40 А Power Dissipation Pd: 42 Вт Тип транзистора: Power MOSFET RoHS: есть
    .. модели: IPD105N04L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 40 В, PG-TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Je]R % # ! %&$!# % .;?6 (> ?@ 7NJ]ZN[ Q 2 C C ...
    28-03-2011
34. IPS090N03L G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-251 Количество выводов: 3 Current Id Max: 40 А Power Dissipation Pd: 42 Вт Тип транзистора: Power MOSFET RoHS: есть
    .. модели: IPS090N03L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Type IPD090N03L G IPS090N03L G IPF090N03L G ...
    28-03-2011
35. IPU090N03L G — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-251 Количество выводов: 3 Current Id Max: 40 А Power Dissipation Pd: 42 Вт Тип транзистора: Power MOSFET RoHS: есть
    .. модели: IPU090N03L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Type IPD090N03L G IPS090N03L G IPF090N03L G ...
    28-03-2011
36. IRLU3114ZPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. Корпус транзистора: I-PAK Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Capacitance Ciss Typ: 3810 пФ Current Id Max: 42 А Тип корпуса: IPAK Power Dissipation Pd: 140 Вт Pulse Current Idm: 500 А Reverse Recovery Time trr Typ: 30 нс Способ ...
    .. модели: IRLU3114ZPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97284 AUTOMOTIVE MOSFET Features l l l l l l ...
    03-04-2011
37. IRFU3504ZPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 42 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On State Resistance: 9 МОм Корпус транзистора: I-PAK Количество выводов: 3 SVHC: No ...
    .. модели: IRFU3504ZPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 40 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95521B IRFR3504ZPbF IRFU3504ZPbF Features l l l l l l ...
    03-04-2011
38. PSMN4R0-40YS — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PSMN4R0-40YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN4R0-40YS N-channel LFPAK 40 V 4.2 m standard ...
    04-04-2011
39. PSMN4R0-40YS,115 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: PSMN4R0-40YS,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, 4-SOT-669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN4R0-40YS N-channel LFPAK 40 V 4.2 m standard ...
    04-04-2011
40. NIF62514T1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    .. модели: NIF62514T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: SMART полевой транзистор, N, 42 В, 1.73 Вт, SOT-223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NIF62514 Preferred Device Self-Protected FET ...
    .. Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 6 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On State Resistance: 100 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 16 В постоянного тока Рабочий диапазон ...
    06-04-2011

Сортировать по: релевантность / дата