Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Публикации: K6R1016V1D

Поиск по: "K6R1016V1D"
Найдено: 8 Вывод: 1-8
  1. 64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  2. 92 предложений от 15 поставщиков
    64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
    Контест
    Россия
    K6R1016V1D-UI10
    255 ₽
    Akcel
    Весь мир
    K6R1016V1D-EC10
    Samsung
    по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. 64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  1. 64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  2. Вадим Колесник
    .. четыре микросхемы УНЧ Philips TDA8566TH , микросхема Flash-памяти STMicroelectronics M29W040B90N6 , микросхема ОЗУ Samsung K6R1016V1D . В корпусе усилителя (в врехней крышке) предусмотрено место для небольшого вентилятора охлаждения ...
    Vadim Kolesnik
    .. (ADC + DAC), four Philips TDA8566TH power amplifier chips, STMicroelectronics M29W040B90N6 flash memory chip, RAM Samsung K6R1016V1D . There is space for a small cooling fan (next to the OASIS processor) in the amplifier case (in the ...
    19-09-2020
  3. Datasheets Samsung K6R1004C1D-JC(I) 10/12
    64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  4. Datasheets Samsung K6R1004V1D-JC(I) 08/10
    64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  5. Datasheets Samsung K6R1008C1D-J(T)C(I) 10/12
    64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020
  6. Datasheets Samsung K6R1008V1D-J(T)C(I) 08/10
    64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
    25-09-2020

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "K6R1016V1D" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России