Кремниевый затвор N-канального режима расширения, устаревший – без запасной части В этом высоковольтном МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема согласования, обеспечивающая расширенные возможности блокировки напряжения без ухудшения ...
.. использовать любые MOSFET с подходящим напряжением пробоя и низким сопротивлением открытого канала, такие, например, как MTD1N60E или IRF820 . Дроссель L 1 с индуктивностью 500 мкГн должен быть способен работать на частоте 100 кГц и ...
.. for capacitor C 2 . You can use any power MOSFET with a suitable breakdown voltage and a low on-resistance, such as an MTD1N60E or IRF820, for Q 1 . Inductor L 1 , a 500-µH device, should be able to operate at 100 kHz and ...
.. от 130 до 260 В AC изменение выходного напряжения составляет 1 В. Благодаря устойчивости к лавинному пробою, транзистор MTD1N60E не нуждается в ограничивающей цепи, что дополнительно упрощает разработку схемы. Измеренные значения КПД ...
.. loss. Figure 2. The input-voltage rejection stays within 1 V from 130 to 260 V ac. Thanks to its avalanche capability, the MTD1N60E requires no clipping network, which further eases the design. The efficiency measured 64% (low line, P ...
