.. SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
.. по сравнению с MOSFET с щелевой изоляцией, снижая температуру кристалла при той же рабочей температуре. Модуль NXH010P120MNF1 , в котором MOSFET сконфигурированы полумостом, имеет в открытом состоянии сопротивление 10 ...
.. trench MOSFET, thereby reducing die temperature at the same operating temperature. Configured as a 2-PACK half bridge, the NXH010P120MNF1 is a 10 mohm device housed in an F1 package while the NXH006P120MNF2 is a 6 mohm device in an ...
.. SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
1 июля 2021
Поиск "NXH010P120MNF1" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Купить NXH010P120MNF1 на РадиоЛоцман.Цены — от 4 122 до 21 452 ₽
