Наименование модели: PSMN1R6-30PL,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В Количество ...
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и ...
Extending the range of Trench 6 MOSFETs with nineteen new devices at 25V, 30V, 40V and 80V, NXP Semiconductors offers designers simplified thermal management and enhanced current capability in the TO-220 package and Power SO-8 LFPAK (Loss Free ...
10-12-2009
Поиск "PSMN1R6-30PL" в других поисковых системах: DataSheet.ru