NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package).
.jpg)
NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие плотности мощности и большие скорости переключения. Кроме того, применение Trench 6 MOSFET дает возможность использовать более малогабаритные индуктивности и конденсаторы, экономя место на печатной плате.
|
Корпус |
Наименование |
VDS |
RDS(ON) (тип.) |
RDS(ON) (макс.) |
|
LFPAK |
PSMN1R2-25YL |
25 В |
0.9 |
1.2 |
|
PSMN1R5-25YL |
1.13 |
1.5 |
||
|
PSMN1R3-30YL |
30 В |
1.06 |
1.3 |
|
|
PSMN1R7-30YL |
1.29 |
1.7 |
||
|
PSMN2R0-30YL |
1.55 |
2 |
||
|
PSMN2R5-30YL |
1.79 |
2.4 |
||
|
PSMN3R0-30YL |
2.19 |
3 |
||
|
PSMN3R5-30YL |
2.43 |
3.5 |
||
|
PSMN4R0-30YL |
2.72 |
4 |
||
|
PSMN5R0-30YL |
3.63 |
5 |
||
|
PSMN6R0-30YL |
4.26 |
6 |
||
|
PSMN7R0-30YL |
4.92 |
7 |
||
|
PSMN9R0-30YL |
6.16 |
8 |
||
|
PSMN2R6-40YS |
40 В |
2.17 |
2.75 |
|
|
PSMN4R0-40YS |
3.28 |
4.18 |
||
|
PSMN8R3-40YS |
6.79 |
8.58 |
||
|
PSMN8R2-80YS |
80 В |
6.61 |
8.47 |
|
|
PSMN013-80YS |
10 |
12.84 |
||
|
PSMN026-80YS |
21.5 |
27.54 |
||
|
TO220 |
PSMN1R6-30PL |
30 В |
1.4 |
1.7 |
|
PSMN2R0-30PL |
1.7 |
2.1 |
||
|
PSMN4R3-30PL |
3.5 |
4.3 |
||
|
PSMN2R2-40PS |
40 В |
1.75 |
2.1 |
|
|
PSMN4R5-40PS |
3.9 |
4.6 |
||
|
PSMN8R0-40PS |
6.2 |
7.6 |
||
|
PSMN4R4-80PS |
80 В |
3.3 |
4.1 |
|
|
PSMN5R0-80PS |
3.7 |
4.7 |
||
|
PSMN012-80PS |
9 |
11 |
||
|
PSMN050-80PS |
37 |
46 |
||
|
L = Логический уровень |
||||
