Публикации: STGAP2SICS

1. STGAP2SICS — Datasheet STMicroelectronics
   Datasheets
   4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
   29 марта 2021

Купить STGAP2SICS на РадиоЛоцман.Цены — от 115 до 535 ₽ 51 предложений от 10 поставщиков MOSFET Driver, Half Bridge, 16.4 V to 26 V Supply, -40 °C to 125 °C, 75 ns Delay, WSOIC-8
Зенер Россия и страны ТС	STGAP2SICS	от 115 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STGAP2SICS STMicroelectronics	185 ₽	Купить

2. STMicroelectronics предлагает изолированный драйвер затвора для безопасного управления карбидокремниевыми MOSFET
   Новости Драйверы STMicroelectronics STGAP2SiCS
   .. STGAP2SiCS , пополнившая семейство изолированных драйверов затворов STGAP компании STMicroelectronics, ...

   Isolated Gate Driver from STMicroelectronics Safely Controls Silicon-Carbide MOSFETs

   .. STMicroelectronics’ STGAP family of isolated gate drivers, the STGAP2SiCS is optimized for safe control of silicon carbide (SiC) MOSFETs and operates from a high-voltage rail ...

   29 марта 2021

3. STGAP2SICS — Datasheet STMicroelectronics
   Datasheets STMicroelectronics
   4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
   29 марта 2021
4. STGAP2SICSC — Datasheet STMicroelectronics
   Datasheets STMicroelectronics STGAP2SICSC
   4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
   29 марта 2021
5. STGAP2SICSCTR — Datasheet STMicroelectronics
   Datasheets STMicroelectronics STGAP2SICSCTR
   4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
   29 марта 2021
6. STGAP2SICSTR — Datasheet STMicroelectronics
   Datasheets STMicroelectronics STGAP2SICSTR
   4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
   29 марта 2021

Сортировать по: релевантность / дата