Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet International Rectifier IRF5305STRL

International Rectifier IRF5305STRL

Производитель:International Rectifier
Серия:IRF5305S/L
Модель:IRF5305STRL

PB-IRF5305S. Leaded -55 V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package. Obsolete

Документы:

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRF5305STRL

    МОП-транзистор N-Chan 100V 9.2 Amp
    Цены на IRF5305STRL
    ПоставщикПроизводительЦена
    ТерраэлектроникаInfineonот 66,50 руб.
    Кремнийпо запросу
    ТаймЧипспо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:

Obsolete Leaded (Pb) P-Channel MOSFETs

Выписка из документа:
PD - 91386C IRF5305S/L
HEXFET® Power MOSFET
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF5305S) l Low-profile through-hole (IRF5305L) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated Description
l l D VDSS = -55V RDS(on) = 0.06 G ID = -31A
S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient ...

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс