Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Vishay IRF530L

Производитель:Vishay
Серия:IRF530, SiHF530
Модель:IRF530L

Power MOSFET

Документы:

На английском языке: Datasheet Vishay IRF530L

    MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
    ПоставщикПроизводительЦена
    Кремнийпо запросу
    TradeElectronicsVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:

MOSFETS

Выписка из документа:
IRF530, SiHF530
Vishay Siliconix Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 26 5.5 11 Single
D FEATURES
100 0.16 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 175 °C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Available RoHS*
COMPLIANT TO-220AB DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry. G G D S S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION
Package Lead (Pb)-free SnPb TO-220AB IRF530PbF SiHF530-E3 IRF530 SiHF530 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Currenta Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energyb Repetitive Avalanche Currenta TC =...

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс