Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
Datasheets

Datasheets - 7

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 153 Вывод: 121-140

Вид: Список / Картинки

  1. IPB60R160C6 — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R160C6
    Datasheet IPB60R160C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263
    Наименование модели: IPB60R160C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 23.8 А, TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOSTM C6 ...
  2. IPB60R125CP — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R125CP
    Datasheet IPB60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263
    Наименование модели: IPB60R125CP Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB60R125CP CoolMOSTM Power Transistor Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate ...
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
  1. IPB60R125C6 — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R125C6
    Datasheet IPB60R125C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263
    Наименование модели: IPB60R125C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GIM@?N + =L D- PA 1 =E A F =;L2J FKKG 9 9 AL J !GGD+ - 1 ! 4 !G D - 1 Y ! . G G+ O=J2J ...
  2. IPB60R099CPA — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R099CPA
    Datasheet IPB60R099CPA - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263
    Наименование модели: IPB60R099CPA Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB60R099CP CoolMOSTM Power Transistor Features · Worldwide best R ds,on in TO263 · Ultra low gate ...
  1. IPB60R099CP — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R099CP
    Datasheet IPB60R099CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263
    Наименование модели: IPB60R099CP Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB60R099CP CoolMOSTM Power Transistor Features · Worldwide best R ds,on in TO263 · Ultra low gate ...
  2. IPB60R099C6 — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB60R099C6
    Datasheet IPB60R099C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263
    Наименование модели: IPB60R099C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 37.9 А, TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GIM@?N + =L D- PA 1 =E A F =;L2J FKKG 9 9 AL J !GGD+ - 1 ! 4 !G D - 1 Y ! . G G+ ...
  3. IPB50R299CP — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon IPB50R299CP
    Datasheet IPB50R299CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263
    Наименование модели: IPB50R299CP Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB50R299CP CoolMOSTM Power Transistor Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate ...
  4. FDB8874 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB8874
    Datasheet FDB8874 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-263
    Наименование модели: FDB8874 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, TO-263 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 40 А On Resistance Rds(on): 4.7 МОм Корпус транзистора: TO-263 SVHC: No SVHC ...
  5. FDB6021P — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB6021P
    Datasheet FDB6021P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH -28 А -20 В TO-263AB
    Наименование модели: FDB6021P Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, P CH -28 А -20 В TO-263AB Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: -14 А Drain Source Voltage Vds: -20 В On Resistance Rds(on): ...
  6. FDB3652 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB3652
    Datasheet FDB3652 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH 61 А 100 В, TO236AB
    Наименование модели: FDB3652 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH 61 А 100 В, TO236AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 October 2003 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel ...
  7. FDB3632 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB3632
    Datasheet FDB3632 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB
    Наименование модели: FDB3632 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 December 2008 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / ...
  8. FDB2552 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB2552
    Datasheet FDB2552 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
    Наименование модели: FDB2552 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB2552 / FDP2552 December 2010 FDB2552 / FDP2552 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36m ...
  9. FDB2532 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB2532
    Datasheet FDB2532 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
    Наименование модели: FDB2532 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 August 2002 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench® MOSFET ...
  10. FDB13AN06A0 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB13AN06A0
    Datasheet FDB13AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
    Наименование модели: FDB13AN06A0 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 July 2003 FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET ...
  11. FDB070AN06A0 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB070AN06A0
    Datasheet FDB070AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N
    Наименование модели: FDB070AN06A0 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 March 2003 FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, ...
  12. FDB045AN08A0 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB045AN08A0
    Datasheet FDB045AN08A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
    Наименование модели: FDB045AN08A0 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2006 tm FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench® ...
  13. FDB035AN06A0 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB035AN06A0
    Datasheet FDB035AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
    Наименование модели: FDB035AN06A0 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB035AN06A0 December 2010 FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.5m Features ...
  14. IKB03N120H2 — Datasheet Infineon -
    IGBT транзисторы Infineon IKB03N120H2
    Datasheet IKB03N120H2 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 3 А, TO263
    Наименование модели: IKB03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 3 А, TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IKB03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C · Designed ...
  15. IGB03N120H2 — Datasheet Infineon -
    IGBT транзисторы Infineon IGB03N120H2
    Datasheet IGB03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, 1200 В, 3 А, TO263
    Наименование модели: IGB03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT, 1200 В, 3 А, TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGB03N120H2 HighSpeed 2-Technology C · · Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps ...
  16. IKB20N60T — Datasheet Infineon -
    IGBT транзисторы Infineon IKB20N60T
    Datasheet IKB20N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,20A,TO263
    Наименование модели: IKB20N60T Производитель: Infineon Описание: IGBT+ DIODE,600V,20A,TO263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TrenchStop® Series IKB20N60T p Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров