Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 548 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet IDW75E60 - Infineon Даташит Диод, 600 В, 120 А, TO247-3
    Наименование модели: IDW75E60 Производитель: Infineon Описание: Диод, 600 В, 120 А, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IDW75E60 Features: · 600 V EmCon technology · Fast recovery · Soft switching · Low reverse recovery charge ...
  2. Datasheet IDW100E60 - Infineon Даташит Диод, 600 В, 150 А, TO247-3
    Наименование модели: IDW100E60 Производитель: Infineon Описание: Диод, 600 В, 150 А, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IDW100E60 Fast Switching EmCon Diode Features: · 600 V EmCon technology · Fast recovery · Soft switching · ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet SKW07N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247
    Наименование модели: SKW07N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SKW07N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode · ...
  2. Datasheet SGW25N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW25N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGW25N120 Fast IGBT in NPT-technology · 40% lower Eoff compared to previous generation · ...
  1. Datasheet SGW15N60 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW15N60 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGP15N60 SGW15N60 Fast IGBT in NPT-technology · 75% lower Eoff compared to previous generation ...
  2. Datasheet IPW65R080CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247
    Наименование модели: IPW65R080CFD Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD 650V CoolMOSTM ...
  3. Datasheet IPW60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 25 А, TO-247
    Наименование модели: IPW60R125CP Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 25 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 9?E-'@(),4? 4VVS=> A # : A 0 7LHZ[XLY V )DL: H ; G B > V 2 A 6 A
  4. Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3
    Наименование модели: NGTB25N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB25N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and ...
  5. Datasheet NGTB20N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3
    Наименование модели: NGTB20N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB20N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and ...
  6. Datasheet NGTB15N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, FS1, TO-247-3
    Наименование модели: NGTB15N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB15N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and ...
  7. Datasheet SJDP170R1400 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247
    Наименование модели: SJDP170R1400 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide SJDP170R1400 Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Features: - ...
  8. Datasheet SJDP120R340 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 8 А, TO247
    Наименование модели: SJDP120R340 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 8 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R340 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.340 TBD ...
  9. Datasheet STW9N150 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 1500 В, 8 А, TO 247
    Наименование модели: STW9N150 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 1500 В, 8 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESHTM ...
  10. Datasheet STW7N95K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 950 В, 7.2 А, TO 247
    Наименование модели: STW7N95K3 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 950 В, 7.2 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STF7N95K3 STP7N95K3, STW7N95K3 N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, ...
  11. Datasheet STW77N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 69 А, TO 247
    Наименование модели: STW77N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 69 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW77N65M5 N-channel 650 V, 0.033 69 A, MDmeshTM V Power MOSFET , TO-247 ...
  12. Datasheet STW60N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 46 А, TO 247
    Наименование модели: STW60N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 46 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 46 A MDmeshTM V Power MOSFET , ...
  13. Datasheet STW55NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 51 А, TO 247
    Наименование модели: STW55NM60ND Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 51 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmeshTM II Power MOSFET ...
  14. Datasheet STW48NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 39 А, TO 247
    Наименование модели: STW48NM60N Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 39 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW48NM60N N-channel 600 V, 0.055 39 A TO-247 , MDmeshTM II Power MOSFET ...
  15. Datasheet STW43NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 35 А, TO 247
    Наименование модели: STW43NM60ND Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 35 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW43NM60ND N-channel 600 V, 0.075 35 A TO-247 , FDmeshTM Power MOSFET (with ...
  16. Datasheet STW42N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 33 А, TO 247
    Наименование модели: STW42N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 33 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmeshTM V Power MOSFET in I2PAK, ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России