Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
Datasheets

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 33 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. FDB86135 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB86135
    Datasheet FDB86135 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, TO-263
    Наименование модели: FDB86135 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB86135 N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2011 FDB86135 N-Channel PowerTrench® MOSFET ...
  2. FDB86102LZ — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB86102LZ
    Datasheet FDB86102LZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 30 А, TO-263
    Наименование модели: FDB86102LZ Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 30 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDB86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2011 FDB86102LZ N-Channel PowerTrench® ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. FDB088N08 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDB088N08
    Datasheet FDB088N08 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 85 А, TO-263
    Наименование модели: FDB088N08 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 85 А, TO-263 Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 75 В On ...
  2. FCB11N60TM — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FCB11N60TM
    Datasheet FCB11N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263
    Наименование модели: FCB11N60TM Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FCB11N60 600V N-Channel MOSFET December 2008 FCB11N60 600V N-Channel MOSFET Features ...
  1. MJB5742T4G — Datasheet ON Semiconductor -
    Биполярные транзисторные сборки и модули ON Semiconductor MJB5742T4G
    Datasheet MJB5742T4G - ON Semiconductor Даташит TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB
    Наименование модели: MJB5742T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors The Darlington transistors are ...
  2. GB05SLT12-263 — Datasheet Genesic Semiconductor -
    Диоды выпрямительные Genesic Semiconductor GB05SLT12-263
    Datasheet GB05SLT12-263 - Genesic Semiconductor Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 1.
    Наименование модели: GB05SLT12-263 Производитель: Genesic Semiconductor Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 1. Скачать Data Sheet Спецификации: Diode Type: SiC Schottky Forward Voltage VF Max: 1.8 В Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 ...
  3. GA02SLT12-263 — Datasheet Genesic Semiconductor -
    Диоды выпрямительные Genesic Semiconductor GA02SLT12-263
    Datasheet GA02SLT12-263 - Genesic Semiconductor Даташит Диод, SIC, RECTI, 1200 В, 2 А, TO-263
    Наименование модели: GA02SLT12-263 Производитель: Genesic Semiconductor Описание: Диод, SIC, RECTI, 1200 В, 2 А, TO-263 Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ Forward Current If(AV): 2 А Forward Voltage VF ...
  4. IRGSL4062DPBF — Datasheet International Rectifier -
    IGBT транзисторы International Rectifier IRGSL4062DPBF
    Datasheet IRGSL4062DPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, диод, 600 В, 48 А, D2PAK
    Наименование модели: IRGSL4062DPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, диод, 600 В, 48 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97355B INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY ...
  5. IRG7S313UPBF — Datasheet International Rectifier -
    IGBT транзисторы International Rectifier IRG7S313UPBF
    Datasheet IRG7S313UPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, 330 В, 40 А, D2PAK
    Наименование модели: IRG7S313UPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, 330 В, 40 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97402A PDP TRENCH IGBT Features l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized ...
  6. AUIRF1324S — Datasheet International Rectifier -
    Полевые транзисторы International Rectifier AUIRF1324S
    Datasheet AUIRF1324S - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 24 В, 195 А, D2PAK
    Наименование модели: AUIRF1324S Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 24 В, 195 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324S AUIRF1324L HEXFET® Power MOSFET D PD ...
  7. FGB20N60SF — Datasheet Fairchild -
    IGBT транзисторы Fairchild FGB20N60SF
    Datasheet FGB20N60SF - Fairchild Даташит IGBT, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK
    Наименование модели: FGB20N60SF Производитель: Fairchild Описание: IGBT, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FGB20N60SF 600V, 20A Field Stop IGBT October 2010 FGB20N60SF 600V, 20A Field Stop IGBT Features ...
  8. FCB36N60NTM — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FCB36N60NTM
    Datasheet FCB36N60NTM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 36 А, D2PAK
    Наименование модели: FCB36N60NTM Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 36 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FCB36N60N N-Channel MOSFET SupreMOSTM September 2010 FCB36N60N N-Channel MOSFET ...
  9. SUM45N25-58-E3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SUM45N25-58-E3
    Datasheet SUM45N25-58-E3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 250 В, 45 А, TO-263
    Наименование модели: SUM45N25-58-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 250 В, 45 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: New Product SUM45N25-58 Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  10. SQM85N15-19-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM85N15-19-GE3
    Datasheet SQM85N15-19-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 150 В, 85 А, TO-263
    Наименование модели: SQM85N15-19-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 150 В, 85 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM85N15-19 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  11. SQM85N03-06P-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM85N03-06P-GE3
    Datasheet SQM85N03-06P-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 60 А, TO-263
    Наименование модели: SQM85N03-06P-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 60 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM85N03-06P Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  12. SQM47N10-24L-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM47N10-24L-GE3
    Datasheet SQM47N10-24L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 47 А, TO-263
    Наименование модели: SQM47N10-24L-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 47 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM47N10-24L Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C ...
  13. SQM40N15-38-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM40N15-38-GE3
    Datasheet SQM40N15-38-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 150 В, 40 А, TO-263
    Наименование модели: SQM40N15-38-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 150 В, 40 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM40N15-38 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  14. SQM40N10-30-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM40N10-30-GE3
    Datasheet SQM40N10-30-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263
    Наименование модели: SQM40N10-30-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM40N10-30 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  15. SQM110N05-06L-GE3 — Datasheet Vishay -
    Полевые транзисторы Vishay SQM110N05-06L-GE3
    Datasheet SQM110N05-06L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263
    Наименование модели: SQM110N05-06L-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQM110N05-06L Vishay Siliconix Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 °C ...
  16. AUIRL3705ZS — Datasheet International Rectifier -
    Полевые транзисторы International Rectifier AUIRL3705ZS
    Datasheet AUIRL3705ZS - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 55 В, 75 А, D2PAK
    Наименование модели: AUIRL3705ZS Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 55 В, 75 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96345 AUTOMOTIVE GRADE Features l l l l l l l l HEXFET® ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров