Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 10 Вывод: 1-10

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK
    Наименование модели: BUK9E1R9-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK Спецификации: Continuous Drain Current Id: 72 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.013 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В ...
  2. Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK
    Наименование модели: BUK9E1R6-30E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9E1R6-30E 11 September 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. Datasheet PSMN017-30EL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, I2PAK
    Наименование модели: PSMN017-30EL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, I2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: I2 P AK PSMN017-30EL N-channel 30 V 17 m logic level MOSFET in I2PAK Rev. 2 -- 3 April 2012 ...
  2. Datasheet BYV32G-200 - NXP Даташит Диод, ULTRAFAST, 2X10A, 200 В, I2PAK
    Наименование модели: BYV32G-200 Производитель: NXP Описание: Диод, ULTRAFAST, 2X10A, 200 В, I2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: I2P AK BYV32G-200 Dual ultrafast power diode Rev. 01 -- 11 January 2011 Product data sheet 1. Product ...
  1. Datasheet BYV42G-200 - NXP Даташит Диод, ULTRAFAST, 2X15A, 200 В, I2PAK
    Наименование модели: BYV42G-200 Производитель: NXP Описание: Диод, ULTRAFAST, 2X15A, 200 В, I2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: I2P AK BYV42G-200 Dual ultrafast power diode Rev. 01 -- 11 January 2011 Product data sheet 1. Product ...
  2. Datasheet BUK6E4R0-75C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E4R0-75C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET Rev. 02 -- 30 August 2010 Product data sheet 1. ...
  3. Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E3R4-40C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 -- 14 October 2010 Product ...
  4. Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E3R2-55C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 01 -- 6 September 2010 ...
  5. Datasheet BUK6E2R3-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E2R3-40C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 1 -- 18 August 2010 Product ...
  6. Datasheet BUK6E2R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E2R0-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 7 September 2010 ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России