Мощный MOSFET c N-каналом 400В 93А 0.035Ом Power MOS V — это новое поколение высоковольтных мощных МОП-транзисторов с N-канальным режимом улучшения. Эта новая технология сводит к минимуму эффект JFET, увеличивает плотность упаковки и снижает ...
Синхронный повышающий контроллер Low IQ с расширенным спектром HL8021 — это высокопроизводительный повышающий контроллер, который управляет синхронным повышающим каскадом мощности N-канального МОП-транзистора, работающим в широком диапазоне ...
Синхронный повышающий контроллер Low IQ с расширенным спектром HL8021 — это высокопроизводительный повышающий контроллер, который управляет синхронным повышающим каскадом мощности N-канального МОП-транзистора, работающим в широком диапазоне ...
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор 100 В в корпусе TO-220 В семействе силовых МОП-транзисторов IR MOSFET используются проверенные кремниевые процессы, предлагающие разработчикам широкий спектр устройств для поддержки различных приложений, ...
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор 100 В в корпусе TO-220 В семействе силовых МОП-транзисторов IR MOSFET используются проверенные кремниевые процессы, предлагающие разработчикам широкий спектр устройств для поддержки различных приложений, ...
Двойная P-канальная матрица согласованных пар МОП-транзисторов ALD1107/ALD1117 представляют собой монолитные четырех-/двойные P-канальные матрицы MOSFET-транзисторов, согласованные в режиме улучшения, предназначенные для широкого спектра ...
Четырехканальная матрица МОП-транзисторов с согласованной парой P-каналов ALD1107/ALD1117 представляют собой монолитные четырех-/двойные P-канальные матрицы MOSFET-транзисторов, согласованные в режиме улучшения, предназначенные для широкого спектра ...
Четырех-/двухканальная матрица МОП-транзисторов согласованной пары ALD1106/ALD1116 представляют собой монолитные четырех-/двойные N-канальные согласованные матрицы МОП-транзисторов с режимом улучшения, предназначенные для широкого спектра ...
Четырех-/двухканальная матрица МОП-транзисторов согласованной пары ALD1106/ALD1116 представляют собой монолитные четырех-/двойные N-канальные согласованные матрицы МОП-транзисторов с режимом улучшения, предназначенные для широкого спектра ...
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...
В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
