 BSM10GD120DN2 Тиристор Бренд: Infineon | Цена от 3 351 ₽ до 9 159 ₽ Медиана 5 599 ₽ В наличии 5 цен от 5 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1 | 2 223 ₽ от 10 5-7 дней склад 47421 шт |
2  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 405 ₽ 3-7 дней склад 105 шт |
3  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 405 ₽ 2-5 дней склад 117 шт |
| 4 ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor ... Далее BSM10GD120DN2Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15A, 3.2V, 80W, 1.2kV, EconoPACK | 3 351 ₽ 3-7 дней склад 241 шт |
| 5 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor ... Далее BSM10GD120DN2Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15A, 3.2V, 80W, 1.2kV, EconoPACK | 3 351 ₽ 2-5 дней склад 149 шт |
6  Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 5 073 ₽ на складе |
7  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1 | 5 184 ₽ склад 60714 шт |
8  Триема Воронеж РоссияФилиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Транзисторы импортные | 5 599 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
9  AiPCBA Китай Весь мир | |
6 112 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
8 556 ₽ 2-7 дней склад 288 шт | |
| 11 Контест Москва Россия | |
BSM10GD120DN2 19 Сен 2025 00:42 Тиристор | 9 159 ₽ |
12  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
20 795 ₽ | |
13  Онлайн Компоненты Москва Россия | |
БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 15 А, 3.2 ... Далее BSM10GD120DN2BOSA1БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 15 А, 3.2 В, 80 Вт, 125 °C, EconoPACK | 24 468 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 10 шт |
25 873 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 10 шт | |
15  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
BSM10GD120DN2E 20 Сен 2025 11:30 | запрос 7-14 дней |
BSM10GD120DN2-E3224 20 Сен 2025 11:30 | запрос 7-14 дней |
| 17 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
| 18 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
BSM10GD120DN2 20 Сен 2025 11:30 | запрос 7-14 дней |
19  МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 20 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
21  LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM10GD120DN2EМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
22  TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 23 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
bsm10gd120dn2pulls 20 Сен 2025 11:30 | запрос 7-14 дней |
| 24 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
| 25 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5150 шт | |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
IGBT - Standard Modules 1200V, 10A, FL BRIDGE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 14296 шт |
29  ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM10GD120DN2Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 30 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 13510 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4030 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 11540 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4060 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 13860 шт |
| 37 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
| USD | 83.1725 |
| EUR | 98.9773 |
