| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 727GS Китай Весь мир | |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | 130 ₽ от 10 шт 7 дней склад 10948 шт |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | 131 ₽ от 10 шт 7 дней склад 11300 шт |
145 ₽ от 1 шт 7 дней склад 11300 шт | |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | 145 ₽ от 1 шт 7 дней склад 10948 шт |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | 233 ₽ от 10 шт 7 дней склад 9349 шт |
259 ₽ от 1 шт 7 дней склад 9349 шт | |
7  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 300 ₽ 6 шт 4-6 недель |
| 8 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 667 ₽ 2-7 дней склад 288 шт | |
| 9 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Mosfet - Power | 2 667 ₽ 2-5 дней склад 133 шт |
| 10 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 890 ₽ 2-7 дней склад 272 шт | |
| 11 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39 | 2 890 ₽ 2-5 дней склад 137 шт |
, BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO18 METAL PACKAGE | 2 914 ₽ 2-5 дней склад 131 шт |
| 13 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 914 ₽ 2-7 дней склад 208 шт | |
| 14 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Bipolar Small Signal | 2 929 ₽ 2-5 дней склад 135 шт |
| 15 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 929 ₽ 2-7 дней склад 298 шт | |
| 16 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Trans GP BJT NPN 200V 5A 3Pin TO-39 | 3 088 ₽ 2-5 дней склад 189 шт |
| 17 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 088 ₽ 2-7 дней склад 223 шт | |
3 154 ₽ 2-7 дней склад 217 шт | |
| 19 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin CLLCC-1 | 3 154 ₽ 2-5 дней склад 155 шт |
| 20 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 186 ₽ 2-7 дней склад 258 шт | |
| 21 ChipWorker Китай Весь мир | |
, PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE ... Далее 2N3637CSM-QR-B, PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS | 3 186 ₽ 2-5 дней склад 103 шт |
| 22 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 202 ₽ 2-7 дней склад 218 шт | |
| 23 ChipWorker Китай Весь мир | |
, BIPOLAR PNP DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED LCC1 CERAMIC SURFACE ... Далее 2N2905ACSM-QR-B, BIPOLAR PNP DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED LCC1 CERAMIC SURFACE MOUNT | 3 202 ₽ 2-5 дней склад 142 шт |
| 24 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 292 ₽ 2-7 дней склад 264 шт | |
| 25 ChipWorker Китай Весь мир | |
, BIPOLAR PNP DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO39 METAL PACKAGE. | 3 292 ₽ 2-5 дней склад 106 шт |
, BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO3 METAL PACKAGE. | 3 433 ₽ 2-5 дней склад 160 шт |
| 27 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 433 ₽ 2-7 дней склад 287 шт | |
| 28 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Mosfet - Power | 3 535 ₽ 2-5 дней склад 133 шт |
| 29 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 535 ₽ 2-7 дней склад 240 шт | |
| 30 ChipWorker Китай Весь мир | |
, HIGH SPEED MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR | 3 566 ₽ 2-5 дней склад 147 шт |
| 31 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 566 ₽ 2-7 дней склад 274 шт | |
3 787 ₽ 2-7 дней склад 225 шт | |
| 33 ChipWorker Китай Весь мир | |
, BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO66 METAL PACKAGE. | 3 787 ₽ 2-5 дней склад 103 шт |
| 34 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 830 ₽ 2-7 дней склад 230 шт | |
| 35 ChipWorker Китай Весь мир | |
, BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO3 METAL PACKAGE. | 3 830 ₽ 2-5 дней склад 189 шт |
, NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR | 3 903 ₽ 2-5 дней склад 109 шт |
| 37 AiPCBA Китай Весь мир | |
3 903 ₽ 2-7 дней склад 291 шт | |
| 38 ChipWorker Китай Весь мир | |
, PNP DARLINGTON POWER TRANSISTOR | 4 356 ₽ 2-5 дней склад 125 шт |
| 39 AiPCBA Китай Весь мир | |
4 356 ₽ 2-7 дней склад 209 шт | |
4 470 ₽ 2-7 дней склад 238 шт | |
| 41 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 6Pin CLLCC-2 | 4 470 ₽ 2-5 дней склад 111 шт |
, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR | 4 579 ₽ 2-5 дней склад 143 шт |
| 43 AiPCBA Китай Весь мир | |
4 579 ₽ 2-7 дней склад 235 шт | |
| 44 ChipWorker Китай Весь мир | |
, P-CHANNEL POWER MOSFET | 4 586 ₽ 2-5 дней склад 185 шт |
| 45 AiPCBA Китай Весь мир | |
4 586 ₽ 2-7 дней склад 241 шт | |
| 46 ChipWorker Китай Весь мир | |
, HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY ... Далее 2N3700DCSM-QR-B, HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE | 4 743 ₽ 2-5 дней склад 164 шт |
| 47 AiPCBA Китай Весь мир | |
4 743 ₽ 2-7 дней склад 288 шт | |
| 48 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 29 045 ₽ 5 шт 4-6 недель |
| 49 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
QRB166GY 31 Май 2025 02:49 | 34 234 ₽ |
| 50 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 37 576 ₽ 1 шт 4-6 недель |
Разное | 42 289 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| 52 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
47 170 ₽ | |
48 227 ₽ | |
QRB166BL 31 Май 2025 02:49 | 48 293 ₽ |
52 136 ₽ | |
52 136 ₽ | |
57  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
QRB5165-SOM-A 31 Май 2025 03:18 | 56 281 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 42 шт |
| 58 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
QRB246GY 31 Май 2025 02:49 | 61 049 ₽ |
| 59 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 68 145 ₽ 5 шт 4-6 недель |
| 60 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
QRB216MOBBL 31 Май 2025 02:49 | 70 801 ₽ |
QRB216MOBGY 31 Май 2025 02:49 | 70 801 ₽ |
| 62 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 83 708 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| 63 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
103 644 ₽ | |
| 64 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Выпрямители 70V 200mA | запрос 7-14 дней |
Выпрямители 85V 200mA | запрос 7-14 дней |
Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO18 Metal Package | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Ampl/Switch | запрос 7-14 дней |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Ampl | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Volt Power | запрос 7-14 дней |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 | запрос 7-14 дней |
HUF75637SMDR-QR-B 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
Стабилитроны 18 Volt 500mW 5% | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
PNP SILICON TRANSISTOR IN A | запрос 7-14 дней |
| 76 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
N?€"CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
NPN SILICON TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
BIPOLAR NPN DEVICE IN A HERMETICALLY SEALED TO3 METAL PACKAGE | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL MOSFET | запрос 7-14 дней |
| 81 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
N?€"CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
| 82 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Стабилитроны 5.1V 0.5W Zener | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFETS | запрос 7-14 дней |
NPN/PNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT ... Далее ZTX753DCSM-QR-BNPN/PNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICTIONS | запрос 7-14 дней |
Thin Film Limiter Module 5 to 3000 MHz | запрос 7-14 дней |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
| 88 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Switching | запрос 7-14 дней |
| 89 Maybo Китай Весь мир | |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
| 97 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
NPN BIPOLAR POWER SWITCHING | запрос 7-14 дней |
| 98 Maybo Китай Весь мир | |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
| 103 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
MEDIUM POWER SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
| 104 Maybo Китай Весь мир | |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 25 дней |
| 105 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 7-14 дней |
| 108 Maybo Китай Весь мир | |
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Bulk | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | запрос 25 дней |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | запрос 25 дней |
MOSFET MOSFET - POWER | запрос 25 дней |
| 114 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
| 115 МосЧип Москва Россия | |
P-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
| 116 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage | запрос 7-14 дней |
PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT ... Далее 2N3637CSM-QR-BPNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL | запрос 7-14 дней |
МОП-транзистор N-CHANNEL 60V 200mA | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS | запрос 7-14 дней |
121  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос 5-7 дней склад 5019 шт |
запрос 5-7 дней склад 11000 шт | |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 5-7 дней склад 4887 шт |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 5-7 дней склад 3901 шт |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос 5-7 дней склад 3643 шт |
| 126 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power | запрос 7-14 дней |
Оптические переключатели, рефлексивные, на фототранзисторах REFLECTIVE ... Далее QRB1113_QОптические переключатели, рефлексивные, на фототранзисторах REFLECTIVE SENSOR | запрос 7-14 дней |
| 128 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
QRB1113 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
QRB1113_Q 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
QRB1114 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
QRB1114_Q 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
DustCover-4 | запрос 2 недели |
DustCover-4 | запрос 2 недели |
| 134 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line | запрос 7-14 дней |
| 135 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
DustCover-4 | запрос 2 недели |
DustCover-4 | запрос 2 недели |
| 137 IC Home Китай Весь мир | |
Module, Pre-Wired | запрос |
PCB Mount | запрос |
| 139 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
N?€"CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | запрос 7-14 дней |
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT | запрос 7-14 дней |
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT | запрос 7-14 дней |
| 142 Augswan Китай Весь мир | |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7146 шт |
| 143 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
QRB-02-A 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Ampl/Switch | запрос 7-14 дней |
HIGH SPEED MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
| 149 Augswan Китай Весь мир | |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7092 шт |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7464 шт |
| 151 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
запрос | |
запрос | |
| 153 IC Home Китай Весь мир | |
Module, Pre-Wired | запрос |
PCB Mount | запрос |
| 155 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
запрос | |
запрос | |
157  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB | запрос склад 11300 шт |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос склад 9349 шт |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос склад 10948 шт |
| 160 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
QRB1133 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
QRB1134 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
| 162 МосЧип Москва Россия | |
SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD CERAMIC SURFACE ... Далее BDS17-QR-BSILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES | запрос 7-14 дней |
Bipolar NPN Device | запрос 7-14 дней |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 | запрос 7-14 дней |
BLX41X-QR-B 01 Июн 2025 06:28 | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL MOSFET | запрос 7-14 дней |
МОП-транзистор 90V 4Ohm | запрос 7-14 дней |
| 168 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
Оптические переключатели, рефлексивные, на фототранзисторах PHOTO ... Далее QRB1114_QОптические переключатели, рефлексивные, на фототранзисторах PHOTO TRANS | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line | запрос 7-14 дней |
| 172 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS | запрос 7-14 дней |
| 173 МосЧип Москва Россия | |
N-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Super E-Line | запрос 7-14 дней |
| 175 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Выпрямители 100V 4.0ns Diode Single Junction | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT NPN General Purpose | запрос 7-14 дней |
PNP SILICON DUAL TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
| 178 МосЧип Москва Россия | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | запрос 7-14 дней |
N?€"CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
REFLECTIVE OBJECT SENSORS | запрос 7-14 дней |
Thin Film Limiter Module 5 to 3000 MHz | запрос 7-14 дней |
| 183 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
N-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V | запрос 7-14 дней |
| 185 TradeElectronics Москва Россия | |
SWITCHMODE II Series NPN Silicon Power Transistors | запрос 7-14 дней |
Стабилитроны 7.5 Volt 500mW 5% | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET | запрос 7-14 дней |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
МОП-транзистор 90V 4Ohm | запрос 7-14 дней |
POWER TRANSISTORS(25A,200W) | запрос 7-14 дней |
PNP SILICON TRANSISTOR | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS | запрос 7-14 дней |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
| 196 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD CERAMIC SURFACE ... Далее BDS16SMD05-QR-BSILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES | запрос 7-14 дней |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | запрос 7-14 дней |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor | запрос 7-14 дней |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | запрос 7-14 дней |
Биполярные транзисторы - BJT 25A 60V 200W PNP | запрос 7-14 дней |
JFET N-Chan JFET | запрос 7-14 дней |
| 202 TradeElectronics Москва Россия | |
SNSR OPTO TRANS 3.81MM REFL C-MT | запрос 7-14 дней |
| 203 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Lvl SS | запрос 7-14 дней |
JFET N-Chan JFET | запрос 7-14 дней |
| 205 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5 | запрос 7-14 дней |
| USD | 78.6171 |
| EUR | 89.2512 |
