 IGLD60R190D1AUMA1 Нитрид галлия CoolGaN™ 600 В электронный транзистор IGLD60R190D1 для максимальной эффективности и надежности Бренд: Infineon | Цена от 516 ₽ до 3 053 ₽ Медиана 986 ₽ В наличии 20 цен от 8 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGLD60R190D1AUMA1 02 Май 2025 04:51 | 516 ₽ от 1000 шт 5-15 дней склад 1372 шт |
526 ₽ от 500 шт 5-15 дней склад 1372 шт | |
635 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 1372 шт | |
| 4 ChipWorker Китай Весь мир | |
, GAN HV | 674 ₽ 2-5 дней склад 109 шт |
| 5 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Полупроводники - Дискретные | 715 ₽ 500 шт 4-6 недель |
| 6 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGLD60R190D1AUMA1 02 Май 2025 04:51 | 803 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 1372 шт |
| 7 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Полупроводники - Дискретные | 804 ₽ 100 шт 4-6 недель |
| 8 ЧипСити Москва Россия | |
GAN HV | 926 ₽ 3-7 дней склад 6157 шт |
| 9 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 934 ₽ от 1000 шт 5-12 дней склад 1372 шт |
| 10 AiPCBA Китай Весь мир | |
974 ₽ 2-7 дней склад 1450 шт | |
| 11 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Полупроводники - Дискретные | 998 ₽ 10 шт 4-6 недель |
| 12 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 044 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 1372 шт |
| 13 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGLD60R190D1AUMA1 02 Май 2025 04:51 | 1 095 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 1372 шт |
| 14 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 174 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 1372 шт |
| 15 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Полупроводники - Дискретные | 1 239 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| 16 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 457 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 1372 шт |
| 17 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
1 544 ₽ | |
1 550 ₽ | |
| 19 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 810 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1372 шт |
| 20 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
3 053 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
| 21 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 | запрос 5-7 дней |
Искать "IGLD60R190D1AUMA1" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
